0 引言
    隨著便攜式消費電子產(chǎn)品應(yīng)用的持續(xù)增長，降低功耗和低電源電壓成為CMOS運算放大器的設(shè)計趨勢。在低壓下工作時，一般采用互補差分輸入對來實現(xiàn)軌至軌的信號輸入，但是，其電源電壓被限制在必須大于兩倍閾值電壓與兩倍過驅(qū)動電壓之和。
    為了使運算放大器能工作在更低電源電壓下，現(xiàn)有的方法是，采用體驅(qū)動晶體管、雙p溝道差分輸入對、輸入信號重整、弱反型區(qū)和輸入共模電平偏移技術(shù)。體驅(qū)動晶體管和弱反型區(qū)晶體管的跨導(dǎo)較小且頻率響應(yīng)性能較差。對當(dāng)輸入共模電平低時，2個P溝道差分輸入對都同時開啟，這樣會導(dǎo)致差分對的尾電流在共模電平高和低時不相等，因此，這種電路在軌至軌輸入信號下很難實現(xiàn)恒定增益。輸入信號重整電路用來控制共模(CM)電平，但是由于反饋的引入，可能會導(dǎo)致信號的非線性。共模電平偏移是采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制程來實現(xiàn)軌至軌輸入信號的好方法，但是要在超低電源電壓下工作(例如0．6 V)，該還電路需要進(jìn)行一些改進(jìn)。

1 路結(jié)構(gòu)和工作原理
    如圖1所示，普通的互補差分輸入對雖然能夠獲得軌至軌輸入信號，但是，其電源電壓不能低于2(VTH+VOD)，其中表示VTH閾值電壓，VOD表示過驅(qū)動電壓，可以看出在中間部分，會出現(xiàn)截至區(qū)(Dead Zone)。

    圖2是動態(tài)共模電平偏移(Level Shft)的電路結(jié)構(gòu)示意圖，其與文獻(xiàn)的不同之處是，對輸入共模電平在中間或者低電平時，僅僅PMOS差分對開啟，對輸入共模電平在高電平時，NMOS差分對開啟。在設(shè)計過程中，表明這種電路結(jié)構(gòu)更加適合于超低電源電壓下工作。互補差分對的輸入共模電平可以表示為：
   
    其中Vin,n,cm和Vin,p,cm分別是內(nèi)部NMOS和PMOS差分對輸入端的共模電平，Vin,cm是外部輸入端Vin1和Vin2的共模電平。

    本文設(shè)計的低壓運算放大器的核心電路如圖3所示，該電路由電平偏移互補差分對(R1，R2，M1～M4)和對稱運算放大器(M5，M6，M13～M16)組成。圖3中，電平偏移電流產(chǎn)生電路(Level-shift Current Generator)與文獻(xiàn)中相同，其中Ish供給M7～M10。但在文獻(xiàn)中，采用了共源共柵結(jié)構(gòu)，其在超低電源電壓下工作是不適合的。從圖3可以看出，該電路能夠工作的最小電源電壓是：
   
    本設(shè)計中，對于0．6 V的電源電壓，在0．13μm CMOS工藝制程下，閾值電壓約為0．4 V，過驅(qū)動電壓設(shè)計為0．06 V。

2 模擬結(jié)果與討論
    圖4為共模電平偏移電流Ish與外部輸入信號共模電平Vin,cm的變化關(guān)系。

    圖5為內(nèi)部NMOS差分對輸入端的共模電平Vin,n,cm和PMOS差分對輸入端的共模電平Vin,p,cm與外部輸入信號共模電平Vin,cm的變化關(guān)系?？梢钥闯觯?dāng)外部輸入信號共模電平處于中間區(qū)域時，Vin,p,cm會降低，此時PMOS輸入差分對會導(dǎo)通。因此該共模電平偏移輸入級實現(xiàn)了在低和中Vin,cm時PMOS輸入差分對導(dǎo)通，高Vin,cm時NMOS輸入差分對導(dǎo)通，即實現(xiàn)了軌至軌輸入。
    如圖6所示，在0．6 V電源電壓下，采用0．13 μmCMOS工藝制程，模擬得到的頻率響應(yīng)曲線，帶10pF電容負(fù)載時其性能為，功耗390μW，直流增益60 dB，單位增益帶寬22 MHz，相位裕度80°。圖7為單位增益緩沖器的模擬結(jié)果。結(jié)果表明，該運算放大器可以實現(xiàn)軌至軌輸入和輸出。

3 結(jié)語
    在電源電壓為0．6 V下，模擬實現(xiàn)了軌至軌輸入和輸出運算放大器。采用0．13 μm CMOS工藝制程，其閾值電壓約為0．4 V和-0．4 V。設(shè)計過程中用到了輸入共模電平偏移技術(shù)和對稱運算放大器結(jié)構(gòu)設(shè)計。