0    引言

    高頻功率" title="功率">功率二極管" title="二極管">二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變?yōu)榻刂範顟B(tài)過程中，存在反向恢復" title="恢復">恢復現(xiàn)象。這會引起二極管損耗增大，電路效率降低以及EMI增加等問題。這一問題在大功率電源中更加突出。常用RC吸收、串入飽和電抗器吸收、軟開關電路等開關軟化方法加以解決，但關于其效果對比的研究報道尚不多見。本文以Buck電路為例，對這幾種方案進行了比較，通過實驗及仿真得出有用的結論。

1    二極管反向恢復原理

    以普通PN結二極管為例，PN結內(nèi)載流子由于存在濃度梯度而具有擴散運動，同時由于電場作用存在漂移運動，兩者平衡后在PN結形成空間電荷區(qū)。當二極管兩端有正向偏壓，空間電荷區(qū)縮小，當二極管兩端有反向偏壓，空間電荷區(qū)加寬。當二極管在導通狀態(tài)下突加反向電壓時，存儲電荷在電場的作用下回到己方區(qū)域或者被復合，這樣便產(chǎn)生一個反向電流。

2    解決功率二極管反向恢復的幾種方法

    為解決功率二極管反向恢復問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復的問題。另一種思路是從拓撲角度出發(fā)，通過增加某些器件或輔助電路來使功率二極管的反向恢復得到軟化。目前，碳化硅二極管尚未大量進入實用，其較高的成本制約了普及應用，大量應用的是第二種思路下的軟化電路。本文以一個36V輸入、30V/30A輸出、開關頻率為62.5kHz電路（如圖1所示）為例，比較了幾種開關軟化方法。

圖1    Buck電路

2．1    RC吸收

    這是解決功率二極管反向恢復問題的常用方法。在高頻下工作的功率二極管，要考慮寄生參數(shù)。圖2(a)為電路模型，其中D為理想二極管，L_p為引線電感，C_j為結電容，R_p為并聯(lián)電阻（高阻值），R_s為引線電阻。RC吸收電路如圖2（b）所示，將C₁及R₁串聯(lián)后并聯(lián)到功率二極管D₀上。二極管反向關斷時，寄生電感中的能量對寄生電容充電，同時還通過吸收電阻R₁對吸收電容C₁充電。在吸收同樣能量的情況下，吸收電容越大，其上的電壓就越??；當二極管快速正向?qū)〞r，C₁通過R₁放電，能量的大部分將消耗在R₁上。

(a)    功率二極管電路模型    (b)    RC吸收電路

(c)    串聯(lián)飽和電抗器    (d)    二極管反向恢復軟化電路

圖2    解決功率二極管反向恢復問題的常用方案

2.2    串聯(lián)飽和電抗器

    這是解決這一問題的另一種常用方法，如圖2（c）所示。一般鐵氧體(Ferrite)磁環(huán)和非晶合金(Amorphous)材料的磁環(huán)都可以做飽和電抗器。根據(jù)文獻[1]，用飽和電抗器解決二極管反向恢復問題時，常用的錳鋅鐵氧體有效果，但是能量損失比非晶材料大。隨著材料技術的進展，近年來非晶飽和磁性材料性能有了很大提高。本文選用了東芝公司的非晶材料的磁環(huán)(型號：MT12×8×4.5W)繞2匝作飽和電抗器。

    對應圖3（a）和圖3（b），第Ⅰ階段通過D₀的電流很大，電抗器L_s飽和，電感值很小；第Ⅱ階段當二極管電流開始下降時，L_s仍很??；第Ⅲ階段二極管電流反向，反向恢復過程開始(t_rr為反向恢復時間)，L_s值很快增大，抑制" title="抑制">抑制了反向恢復電流的增大，這樣就使電流變成di/dt較小的軟恢復，使二極管的損耗減小，同時抑制了一個重要的噪聲源；第Ⅳ階段二極管反向恢復結束；第Ⅴ階段二極管再次導通，由于電流增大，L_s很快飽和。

(a)    反向恢復電流波形

(b)    飽和電抗器磁化曲線

圖3    飽和電抗器對二極管反向恢復抑制示意 

2．3    軟開關電路

    圖2（d）為一種有效的二極管反向恢復軟化電路[2]。L_k為變壓器漏感。n為變壓器匝比，這里取n=3，其工作過程如圖4所示。

(a)    階段1

(b)    階段2

(c)    階段3

(d)    階段4

(e)    階段5

圖4    軟開關工作原理

    階段1如圖4(a)所示，開關S已經(jīng)導通，D₀處于反向截止狀態(tài)，勵磁電感L_m與漏感L_k被線性充電。階段2開關S關斷，S的寄生電容C_p被充電，該過程很短，可近似看作線性，如圖4(b)所示。階段3D₀及D_b均導通，如圖4(c)所示。階段4二極管D₀中的電流在漏感L_k的作用下逐漸下降為0，如圖4(d)所示。階段5開關S導通，如圖4（e）所示，支路二極管D_b中的電流繼續(xù)下降，在S關斷前下降為0。

    圖4(c)中D₀導通，u_D0≈0，當?shù)綀D4(d)狀態(tài)，u_D0=－u₂=u₀/(1＋n)，圖5(d)的試驗波形驗證了這一點。

3    實驗結果

    圖5給出了各種情況下的二極管D₀的端電壓波形。

(a)    無反向恢復抑制措施的D₀端壓 

(b)    并聯(lián)RC吸收后D₀端壓

(c)    串入飽和電抗器L_s后D₀端壓

(d)    采用軟化電路之后D₀端壓

圖5    實驗波形

    從圖5波形中可以看到，二極管反向恢復的電壓毛刺減小，說明3種方案對二極管反向恢復均有抑制的效果。用RC吸收電路雖然抑制了二極管反向恢復，但反向恢復的電壓毛刺與振蕩還比較明顯。采用軟化電路后如前分析，理論上反向恢復電流應該降為零，但由于電路中雜散參數(shù)的影響，二極管關斷過程中電壓波形還有振蕩。串入飽和電抗器對二極管反向恢復抑制效果最好。

4    結語

    碳化硅的推廣應用或許是二極管反向恢復問題的根本解決途徑。目前主要采用RC吸收電路。串聯(lián)飽和電抗器以及軟化電路也是抑制二極管反向恢復的有效方案。理論分析和試驗證明，串聯(lián)非晶飽和電抗器最為簡單有效，有望得到進一步推廣。