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FSI國際宣布帶有ViPR技術的ZETA噴霧式清洗系統(tǒng)目前已完成200mm制造工藝驗證

ViPR技術省去高注入光刻膠的灰化提高自對準金屬硅化物工藝之后去除殘留金屬的良品率
2008-12-11
作者:FSI國際有限公司

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??? 美國明尼阿波利斯(2008年12月10日)——全球領先的微電子制造表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布其帶有ViPR技術的ZETA噴霧式清洗系統(tǒng)現(xiàn)已提供200mm晶圓" title="晶圓">晶圓工藝,并且已有一家亞洲客戶將該項" title="該項">該項技術成功應用于200mm制造之中。FSI的ViPR技術起初為300mm" title="300mm">300mm高級技術推出,該項技術憑借一步濕法工藝成功剝離高注入光刻膠的能力,被許多300mm晶圓廠" title="晶圓廠">晶圓廠采用。針對200mm晶圓廠相同的需求,F(xiàn)SI在其200mmZETA系統(tǒng)上開發(fā)出ViPR性能。ViPR技術通過省去灰化和多步驟灰化-濕法的方法,實現(xiàn)了IC制造商大幅度降低成本和縮短周期的可能,從而為其它支撐技術釋放空間。

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??? “我們看到ViPR技術在先進的300mm晶圓廠中認可度的不斷提升,是源自該項技術的獨有的性能和優(yōu)點,”FSI董事長兼首席執(zhí)行官說道。“隨著200mmViPR技術被一家重要亞洲客戶的成功應用, ViPR工藝為客戶提供了升級技術的能力以及進一步大幅提高200mm投資收益,我們?yōu)榇烁械礁吲d。”

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??? 2008年11月,該客戶在FSI國際知識服務系列研討會(KSS)亞洲站上,展示了一項引人注目的200mm ViPR性能測試結果——先進邏輯器件的無灰化全濕法光刻膠。他們應用ViPR技術的策略旨在避免灰化過程中的等離子損害,并增加工廠的產(chǎn)能。該客戶表示,ZETA系統(tǒng)ViPR的去除工藝滿足了其對剝離工藝和器件電氣性能的要求,同時對不同類型的器件可縮短生產(chǎn)周期最高達10%,可極大地節(jié)約成本。

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??? 此外,該客戶目前憑借200mm ViPR技術去除在金屬硅化物" title="硅化物">硅化物形成過程中產(chǎn)生的金屬薄膜。ZETA ViPR 300mm工藝已證明可有效去除未反應的金屬,同時不損壞硅化物。在硅化鈷工藝中的殘留金屬薄膜去除方面驗證成功,在最先進的NiPt自對準金屬硅化物工藝方面,成功地整合低退火溫度來減少結點漏電,從而提高了工藝的良品率。

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關于FSI

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??? FSI國際有限公司是一家為微電子制造提供表面處理設備技術及支持服務的全球性的供應商。通過使用公司產(chǎn)品組合中的多晶圓批量和單晶圓的浸泡式、旋轉噴霧式、汽相和超凝態(tài)過冷動力學等一整套清洗技術產(chǎn)品,客戶能夠?qū)崿F(xiàn)他們的工藝性能、靈活性和生產(chǎn)能力目標。公司推出的支持服務項目包括了產(chǎn)品及工藝的提升,從而延長已安裝的FSI設備的使用壽命,使世界范圍內(nèi)的客戶的資本投資獲得更高的回報。

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??? FSI國際有限公司全球網(wǎng)站:http://www.fsi-intl.com.

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