《電子技術(shù)應(yīng)用》
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恒壓/恒流輸出式單片開關(guān)電源的設(shè)計(jì)原理
沙占友,武衛(wèi)東,王曉君
摘要: 單片開關(guān)電源是國際上90年代才開始流行的新型開關(guān)電源芯片,本文闡述恒壓/恒流輸出式的設(shè)計(jì)原理。
Abstract:
Key words :

恒壓/恒流輸出式單片開關(guān)電源可簡稱為恒壓/恒流源。其特點(diǎn)是具有兩個(gè)控制環(huán)路,一個(gè)是電壓控制環(huán),另一個(gè)為電流控制環(huán)。當(dāng)輸出電流較小時(shí),電壓控制環(huán)起作用,具有穩(wěn)壓特性,它相當(dāng)于恒壓源;當(dāng)輸出電流接近或達(dá)到額定值時(shí),通過電流控制環(huán)使IO維持恒定,它又變成恒流源。這種電源特別適用于電池充電器和特種電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。下面介紹一種低成本恒壓/恒流輸出式開關(guān)電源,其電流控制環(huán)是由晶體管構(gòu)成的,電路簡單,成本低,易于制作。

1恒壓/恒流輸出式開關(guān)電源的工作原理

  75V、1A恒壓/恒流輸出式開關(guān)電源的電路如圖1所示。它采用一片TOP200Y型開關(guān)電源(IC1),配PC817A型線性光耦合器(IC2)。85V~256V交流輸入電壓u經(jīng)過EMI濾波器L2、C6)、整流橋(BR)和輸入濾波電容(C1),得到大約為82V~375V的直流高壓UI,再通過初級(jí)繞組接TOP200Y的漏極。由VDZ1和VD1構(gòu)成的漏極箝位保護(hù)電路,將高頻變壓器漏感形成的尖峰電壓限定在安全范圍之內(nèi)。VDZ1采用BZY97C200型瞬態(tài)電壓抑制器,其箝位電壓UB=200V。VD1選用UF4005型超快恢復(fù)二極管。次級(jí)電壓經(jīng)過VD2、C2整流濾波后,再通過L1、C3濾波,獲得+75V輸出。VD2采用3A/70V的肖特基二極管。反饋繞組的輸出電壓經(jīng)過VD3、C4整流濾波后,得到反饋電壓UFB=26V,給光敏三極管提供偏壓。C5為旁路電容,兼作頻率補(bǔ)償電容并決定自動(dòng)重啟頻率。R2為反饋繞組的假負(fù)載,空載時(shí)能限制反饋電壓UFB不致升高。

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圖175V、1A恒壓/恒流輸出式開關(guān)電源的電路

該電源有兩個(gè)控制環(huán)路。電壓控制環(huán)是由1N5234B型62V穩(wěn)壓管(VDZ2)和光耦合器PC817A(IC2)構(gòu)成的。其作用是當(dāng)輸出電流較小時(shí)令開關(guān)電源工作在恒壓輸出模式,此時(shí)VDZ2上有電流通過,輸出電壓由VDZ2的穩(wěn)壓值(UZ2)和光耦中LED的正向壓降(UF)所確定。電流控制環(huán)則由晶體管VT1和VT2、電流檢測(cè)電阻R3、光耦I(lǐng)C2、電阻R4~R7、電容C8構(gòu)成。其中,R3專用于檢測(cè)輸出電流值。VT1采用2N4401型NPN硅管,國產(chǎn)代用型號(hào)為3DK4C;VT2則選2N4403型PNP硅管,可用國產(chǎn)3DK9C代換。R6、R5分別用于設(shè)定VT1、VT2的集電極電流值IC1、IC2。R5還決定電流控制環(huán)的直流增益。C8為頻率補(bǔ)償電容,防止環(huán)路產(chǎn)生自激振蕩。在剛通電或自動(dòng)重新啟動(dòng)時(shí),瞬態(tài)峰值電壓可使VT1導(dǎo)通,利用R7對(duì)其發(fā)射結(jié)電流進(jìn)行限制;R4的作用是將VT1的導(dǎo)通電流經(jīng)VT2旁路掉,使之不通過R1。電流控制環(huán)的啟動(dòng)過程如下:隨著IO的增大,當(dāng)IO接近于1A時(shí),UR3↑→VT1導(dǎo)通→UR6↑→VT2導(dǎo)通,由VT2的集電極給光耦提供電流,迫使UO↓。由UO降低,VDZ2不能被反向擊穿,其上也不再有電流通過,因此電壓控制環(huán)開路,開關(guān)電源就自動(dòng)轉(zhuǎn)入恒流模式。C7為安全電容,能濾除由初、次級(jí)耦合電容產(chǎn)生的共模干擾。

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圖2恒壓/恒流源的輸出特性

  該電源既可工作在75V穩(wěn)壓輸出狀態(tài),又能在1A的受控電流下工作。當(dāng)環(huán)境溫度范圍是0℃~50℃時(shí),恒流輸出的準(zhǔn)確度約為±8%。

  該電源的輸出電壓-輸出電流(U0-I0)特性如圖2所示。由圖可見,它具有以下顯著特點(diǎn):

 ?。?)當(dāng)u=85VAC或265VAC時(shí),特性曲線變化很小,這表明輸出特性基本不受交流輸入電壓變化的影響;

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圖3電壓及電流控制環(huán)的單元電路

 ?。?)當(dāng)IO<0 90A時(shí) 處 于 恒 壓 區(qū) , IO≈ 0 98A時(shí) 位 于 恒 流 區(qū) , 且 UO隨 著 IO的 略 微 增 加 而 迅 速 降 低 ;

 ?。?)當(dāng)UO≤2V時(shí),VT1和VT2已無法給光耦繼續(xù)提供足夠的工作電流,此時(shí)電流控制環(huán)不起作用,但初級(jí)電流仍受TOP200Y的最大極限電流ILIMIT(max)的限制。這時(shí),UR6↑,通過VT1和VT2使光耦工作電流迅速減小,強(qiáng)迫TOP200Y進(jìn)入自動(dòng)重新啟動(dòng)狀態(tài)。這表明,一旦電流控制環(huán)失控,立即從恒流模式轉(zhuǎn)入自動(dòng)重啟狀態(tài),將IO拉下來,對(duì)芯片起保護(hù)作用。

2恒壓/恒流輸出式開關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)

電壓及電流控制環(huán)的單元電路如圖3所示。

21電壓控制環(huán)的設(shè)計(jì)

  恒壓源的輸出電壓由下式確定:

UO=UZ2+UF+UR1=UZ2+UF+I(xiàn)R1·R1(1)

式中,UZ2=62V,UF=12(典型值),需要確定的只是R1上的壓降UR1。令R1上的電流為IR1,VT2的集電極電流為IC2,光耦輸入電流(即LED工作電流)為IF,顯然IR1=IC2=IF,并且它們隨u、IO和光耦的電流傳輸比CTR值而變化。TOP200Y的控制端電流IC變化范圍是25mA(對(duì)應(yīng)于最大占空比Dmax)~65mA(對(duì)應(yīng)于最小占空比Dmin),現(xiàn)取中間值IC=45mA。因IC是從光敏三極管的發(fā)射極流入控制端的,故有關(guān)系式(2)

在IC和CTR值確定之后,很容易求出IR1。單片開關(guān)電源須采用線性光耦合器,要求CTR=80%~160%,可取中間值120%。將IC=45mA,CTR=120%代入式(2)得出,IR1=375mA。令R1=39Ω時(shí),UR1=0146V。最后代入式(1)計(jì)算出

UO=UZ2+UF+UR1=62V+12V+0146V

=7546V≈75V

22電流控制環(huán)的設(shè)計(jì)

  電流控制環(huán)由VT1、VT2、R1、R3~R7、C8和PC817A等構(gòu)成。下面需最終算出恒定輸出電流IOH的期望值。圖3中,R7為VT1的基極偏置電阻,因基極電流很小,而R3上的電流很大,故可認(rèn)為VT1的發(fā)射結(jié)壓降UBEI全部降落在R3上。則(3)

利用下面二式可以估算出VT1、VT2的發(fā)射結(jié)壓降:(4)(5)

式中,k為波爾茲曼常數(shù),T為環(huán)境溫度(用熱力學(xué)溫度表示),q是電子電量。當(dāng)TA=25℃時(shí),T=298K,kT/q=00262V。IC1、IC1分別為VT1、VT2的集電極電流。IS為晶體管的反向飽和電流,對(duì)于小功率管,IS=4×10-14A。

  因?yàn)榍耙亚蟪鯥R1=IF=IC2=375mA,所以

又因IE2≈IC2,故UR5=IC2R5=375mA×100Ω=0375V,由此推導(dǎo)出UR6=UR5+UBE2=0375V+0662=1037V。取R6=220Ω時(shí),IR6=IC1=UR6/R6=471mA。下面就用此值來估算UBE1,進(jìn)而確定電流檢測(cè)電阻R3的阻值:

與之最接近的標(biāo)稱阻值為068Ω。代入式(3)可求得考慮到VT1的發(fā)射結(jié)電壓UBE1的溫度系數(shù)αT≈-21mV/℃,當(dāng)環(huán)境溫度升高25℃時(shí),IOH值降為

恒流準(zhǔn)確度為

與設(shè)計(jì)指標(biāo)相吻合。

3反饋電源的設(shè)計(jì)

  反饋電源的設(shè)計(jì)主要包括兩項(xiàng)內(nèi)容:

  (1)在恒流模式下計(jì)算反饋繞組的匝數(shù)NB。之所以按恒流模式計(jì)算NB值,是因?yàn)榇藭r(shí)UO和UFB都迅速降低(UO=UOmin=2V),只有UFB足夠高時(shí),才能確保恒流源正常工作。

 ?。?)在恒壓模式下計(jì)算出反饋電壓額定值UFB。此時(shí)UO=75V,UFB也將達(dá)到最大值,由此求得UFB值,能為選擇光耦合器的耐壓值提供依據(jù)。

  反饋電壓UFB由下式確定:(6)

式中,UF2和UF3分別為VD2、VD3的正向?qū)▔航?。NS為次級(jí)匝數(shù)。從式(6)可解出(7)

在恒流模式下當(dāng)負(fù)載加重(即負(fù)載電阻減小)時(shí),UO和UFB會(huì)自動(dòng)降低,以維持恒流輸出。為使開關(guān)電源從恒流模式轉(zhuǎn)換到自動(dòng)重啟狀態(tài)時(shí)仍能給TOP200Y提供合適的偏壓,要求UFB至少比恒流模式下控制電壓的最大值UCmax高出3V。這里假定UCmax=6V,故取UFB=9V。將UFB=9V、UO=UCmin=2V、UF2=06V、UF3=1V、IO=IOH=0982A、R3=068Ω、NS=12匝一并代入式(7),計(jì)算出NB=367匝≈37匝(取整)。

  在恒壓模式下,UO=75V,最大輸出電流IO=095A,再代入式(6)求得,UFB=26V,此即反饋電壓的額定值。選擇光耦合器時(shí),光敏三極管的反向擊穿

表1各項(xiàng)性能指標(biāo)

 

型號(hào)規(guī)格 穩(wěn)壓范圍(V) 源電壓效應(yīng) 負(fù)載效應(yīng) 效率 輸出電壓相對(duì)諧波含量 源功率因數(shù) 恢復(fù)時(shí)間(ms) 體積:L×W×H(mm) 整機(jī)重量(kg)
CWY-Ⅱ-5kVA 150-260 ≤3% ≤5% ≥89% ≤3.5% ≥0.95% 10~90 510×710×830 170
CWY-Ⅱ-10kVA ≥91% 520×880×1050 320

 

電壓必須大于此值,即U(BR)CEO>26V。常用線性光耦的U(BR)CEO=30V~90V。計(jì)算光敏三極管反向工作電壓UIC2的公式為

UIC2=UFB-UCmin(8)

式中,UCmin為控制端電壓的最小值(55V)。不難算出,UIC2=205V。這里采用PC817A型光耦合器,其U(BR)CEO=35V>205V,完全能滿足要求。但在設(shè)計(jì)高壓電池充電器時(shí),必須選擇耐高壓的光耦合器。

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