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近日,應用材料公司宣布推出Aera2 for Lithography系統(tǒng)。半導體制造商通過運用該系統(tǒng)的IntenCD技術(shù)可以提升硅片的臨界尺寸一致性(CDU)超過20%,增加器件的良率" title="良率">良率并降低每片硅片的圖形曝光成本。此外,Aera2 for Lithography系統(tǒng)可以延長光掩膜" title="光掩膜">光掩膜的壽命并提高整個光刻區(qū)域的生產(chǎn)力。?
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應用材料公司" title="應用材料公司">應用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)事業(yè)部總經(jīng)理Tom St. Dennis表示:“ 對于45nm及以下技術(shù)節(jié)點的臨界尺寸均勻性要求是非常高的,特別是對于雙圖形曝光(double patterning)工藝。并且至少一半的臨界尺寸的變化來自于光掩膜。通過在光刻區(qū)域中采用應用材料公司已被驗證的空間成像技術(shù),我們正在幫助芯片制造商追蹤并修正光掩膜質(zhì)量上的偏差,從而獲得更精準的圖形曝光,縮短光刻周期并延長光掩膜的可用性" title="可用性">可用性?!?SPAN lang=EN-US>?
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這項新光刻應用的關(guān)鍵是Aera2 平臺的IntenCD技術(shù),它能夠?qū)⒄麄€光掩膜生成高精度、高清晰的臨界尺寸均勻性空間圖像。用IntenCD圖像代替基于硅片的測量結(jié)果,做出判斷的時間可以從兩天縮短到僅僅一個小時。并且由于消除了多次硅片處理步驟可能帶來的累積誤差,結(jié)果的準確性也得到了提高。更準確的均勻性數(shù)據(jù)使得先進的光刻掃描機可以對臨界尺寸的變化作出補償,大大提高硅片生產(chǎn)中的線寬精度,最終提高產(chǎn)品良率。?
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使用IntenCD技術(shù)定期檢查光掩膜可以大大延長其壽命,這是相當重要的優(yōu)點,特別是考慮到現(xiàn)在單個關(guān)鍵器件工藝層光掩膜的價值可能超過10萬美元。光掩膜的屬性在多次累積曝光以后會發(fā)生巨大的和非均勻的變化,霧狀缺陷生成和鍍膜退化引起臨界尺寸誤差。生產(chǎn)主管可以用預知計劃取代傳統(tǒng)的定期光掩膜修復,Aera2系統(tǒng)可以縮短光掩膜修復周期,提高其壽命和可用性。?
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為了優(yōu)化光刻周期,業(yè)界領先的Applied Tetra Reticle Clean光掩膜清潔系統(tǒng)也可以被使用到光刻區(qū)域中,這樣光掩膜就不必送到工廠外面去修復了。Aera2和Tetra Reticle Clean系統(tǒng)是應用材料公司強勁的已被驗證的光刻解決方案中的最新產(chǎn)品,它們將幫助客戶實現(xiàn)成本經(jīng)濟的下一代器件的光刻應用。?
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應用材料公司是全球領先的納米制造技術(shù)" title="制造技術(shù)">制造技術(shù)廠商。公司廣泛的產(chǎn)品包括創(chuàng)新的設備、服務和軟件。它們被應用于半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池、軟性電子產(chǎn)品和節(jié)能玻璃的制造。應用材料公司用納米制造技術(shù)改善人們的生活。欲了解更多應用材料公司的信息,請訪問公司網(wǎng)站http://www.appliedmaterials.com?
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