頭條 東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開(kāi)發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 比亞迪：終比亞迪：終止分拆子公司比亞迪半導(dǎo)體至創(chuàng)業(yè)板上市止分拆子公司比亞迪半導(dǎo)體至創(chuàng)業(yè)板上市 11月15日，比亞迪發(fā)布了《關(guān)于終止分拆所屬子公司比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司至創(chuàng)業(yè)板上市的公告》。 發(fā)表于：11/18/2022 Supermicro 擴(kuò)展搭載第4 代 AMD EPYC 處理器的全方位IT 解決方案 適用于云端、AI/ML、高性能計(jì)算(HPC)、超融合基礎(chǔ)架構(gòu)(HCI) 和企業(yè)應(yīng)用的全新單路和雙路服務(wù)器，內(nèi)含多達(dá)192 個(gè)核心、高達(dá)12TB DDR5-4800MHz 的 12 通道內(nèi)存和多達(dá)160 個(gè)PCIe 5.0 通道，以推動(dòng)最前瞻的應(yīng)用. 發(fā)表于：11/17/2022 展會(huì)速遞丨聚焦新能源賽道, 引領(lǐng)測(cè)試技術(shù)新高位 2022年11月15-17日在德國(guó)慕尼黑電子展及慕尼黑華南電子展同時(shí)盛大舉辦。本屆展會(huì)主題聚焦熱門(mén)應(yīng)用市場(chǎng)與高速發(fā)展行業(yè)，包含汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車(chē)、電力電子、醫(yī)療電子等。ITECH艾德克斯作為展會(huì)多年合作伙伴，在慕尼黑與深圳兩地同步亮相。 發(fā)表于：11/17/2022 高通第二代S5、S3音頻平臺(tái)發(fā)布，2023年下半年面世 11月17日消息，在第二日的2022驍龍峰會(huì)上，第二代高通S5、S3音頻平臺(tái)發(fā)布，均支持驍龍暢聽(tīng)技術(shù)，動(dòng)態(tài)頭部追蹤支持空間音頻、優(yōu)化的無(wú)損音樂(lè)串流以及48ms極低時(shí)延(上一代為68ms)。 發(fā)表于：11/17/2022 京東方正式入股榮耀！金額未公開(kāi) 企業(yè)信息變更顯示，11月16日，榮耀終端公司從京東方獲得戰(zhàn)略投資，交易金額未公開(kāi)。 發(fā)表于：11/17/2022 營(yíng)收增長(zhǎng)38%，這家半導(dǎo)體公司逆勢(shì)增長(zhǎng) 據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，德國(guó)Infineon于本周發(fā)布了今年的Q4季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收相比同期增長(zhǎng)38%，而且無(wú)論是營(yíng)收還是凈利潤(rùn)均高于上一財(cái)年同期。 發(fā)表于：11/17/2022 斥資百億，索尼半導(dǎo)體工廠將在泰國(guó)落地 據(jù)業(yè)內(nèi)信息，索尼集團(tuán)將斥資百億在泰國(guó)建立一家生產(chǎn)車(chē)用圖像傳感器的半導(dǎo)體工廠。 發(fā)表于：11/17/2022 龍芯自曝第四代國(guó)產(chǎn)CPU：自主研發(fā)IP核 11月16日，龍芯中科在南京舉辦2022年信息技術(shù)自主創(chuàng)新高峰論壇。 發(fā)表于：11/17/2022 甬矽電子在科創(chuàng)板上市：市值達(dá)到122億元，王順波為實(shí)際控制人 11月16日，甬矽電子（寧波）股份有限公司（下稱“甬矽電子”，SH：688362）在科創(chuàng)板上市。本次在科創(chuàng)板上市，甬矽電子發(fā)行6000萬(wàn)股，發(fā)行價(jià)格為18．54元／股，募資總額為11．24億元。 發(fā)表于：11/17/2022 DRAM工藝快追上CPU了 近期，DRAM制造工藝又實(shí)現(xiàn)了一次突破，這次操作來(lái)自于SK海力士，該公司宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用HKMG（High－K Metal Gate）工藝的LPDDR5X內(nèi)存，采用1αnm制程，該款LPDDR5X與上一代產(chǎn)品相比，功耗降低了25％，數(shù)據(jù)傳輸速率提高了33％，并在JEDEC設(shè)定的1．01V－1．12V超低電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。 發(fā)表于：11/17/2022 ?…320321322323324325326327328329…?
