ldmos 相關(guān)文章(20篇)
-
東芝和日本半導(dǎo)體提出新方法 可優(yōu)化LDMOS中的HBM容差并抑制導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：2021/6/17 15:09:18
-
埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發(fā)表于：2019/5/12 21:11:01
-
埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發(fā)表于：2019/5/11 19:25:51
-
埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發(fā)表于：2019/5/8 17:25:04
-
AI芯天下 | 技術(shù)：硅基氮化鎵，5G時代的倚天劍
發(fā)表于：2018/10/18 6:00:00
-
5G發(fā)展將帶動RF功率元件需求成長
發(fā)表于：2017/8/8 5:00:00
-
GAN將逐漸取代LDMOS
發(fā)表于：2017/7/30 5:00:00
-
高速1553總線分立器件收發(fā)器設(shè)計
發(fā)表于：2016/12/23 15:17:00
-
當(dāng)硅基代替碳化硅 氮化鎵變得無可挑剔
發(fā)表于：2016/4/26 11:30:00
-
MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列
發(fā)表于：2016/2/24 23:53:00
-
MACOM宣稱將打破氮化鎵大規(guī)模商用壁壘
發(fā)表于：2015/11/5 13:45:00
-
科銳與RFHIC 公司達(dá)成關(guān)鍵Doherty放大器專利許可協(xié)議
發(fā)表于：2011/12/20 14:39:17
-
電平位移電路應(yīng)用于負(fù)電源的設(shè)計
發(fā)表于：2011/8/23 0:00:00
-
IR堅固可靠的高壓柵級驅(qū)動IC采用PQFN4x4封裝減少高達(dá)85% 占位面積
發(fā)表于：2011/6/28 12:58:44
-
采用BCDMOS技術(shù)的電流模降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器功率級設(shè)計
發(fā)表于：2011/6/27 14:14:00
-
恩智浦正式啟動高性能射頻設(shè)計大賽
發(fā)表于：2011/1/26 19:02:53
-
寬帶功率放大器的設(shè)計
發(fā)表于：2011/1/2 0:00:00
-
宏力半導(dǎo)體發(fā)布中國首個0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程及其對應(yīng)的先進(jìn)設(shè)計工具包
發(fā)表于：2010/12/17 17:28:06
-
飛思卡爾新RF功率產(chǎn)品降低了面向多載波無線基站的放大器復(fù)雜性和運(yùn)營成本
發(fā)表于：2010/10/8 8:49:40
-
恩智浦發(fā)布120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管
發(fā)表于：2010/9/29 10:19:14
Copyright ? 2005-2024 華北計算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2