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東芝和日本半導體提出新方法 可優(yōu)化LDMOS中的HBM容差并抑制導通電阻
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埃賦隆宣布面向ISM應用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
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AI芯天下 | 技術：硅基氮化鎵，5G時代的倚天劍
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5G發(fā)展將帶動RF功率元件需求成長
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GAN將逐漸取代LDMOS
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高速1553總線分立器件收發(fā)器設計
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當硅基代替碳化硅 氮化鎵變得無可挑剔
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MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列
發(fā)表于：2/24/2016 11:53:00 PM
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MACOM宣稱將打破氮化鎵大規(guī)模商用壁壘
發(fā)表于：11/5/2015 1:45:00 PM
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科銳與RFHIC 公司達成關鍵Doherty放大器專利許可協(xié)議
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電平位移電路應用于負電源的設計
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IR堅固可靠的高壓柵級驅(qū)動IC采用PQFN4x4封裝減少高達85% 占位面積
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采用BCDMOS技術的電流模降壓型DC-DC轉換器功率級設計
發(fā)表于：6/27/2011 2:14:00 PM
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恩智浦正式啟動高性能射頻設計大賽
發(fā)表于：1/26/2011 7:02:53 PM
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寬帶功率放大器的設計
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宏力半導體發(fā)布中國首個0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程及其對應的先進設計工具包
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飛思卡爾新RF功率產(chǎn)品降低了面向多載波無線基站的放大器復雜性和運營成本
發(fā)表于：10/8/2010 8:49:40 AM
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恩智浦發(fā)布120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管
發(fā)表于：9/29/2010 10:19:14 AM
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