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Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
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英飛凌發(fā)布StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標準
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
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英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
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英飛凌聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的芯片嵌入式功率MOSFET
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減少交通碳排放：大陸集團率先在48 V輕混系統(tǒng)中采用英飛凌及Schweizer聯(lián)合開發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)
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功率MOSFET并聯(lián)應用
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ST推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管
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英飛凌推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
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e絡盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導通電阻記錄
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Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻
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意法半導體（ST）的功率創(chuàng)新技術(shù)可減少相當于數(shù)千輛汽車尾氣排放量的溫室氣體
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恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻的TrenchFET®功率MOSFET
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意法半導體（ST）發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品, 抓住新興生態(tài)設計標準和綠色能源市場機會
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用于計算應用的占位面積優(yōu)化功率器件
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得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進步
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Vishay展示業(yè)內(nèi)領先的電容器、電阻和功率MOSFET器件
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2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素
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大功率開關電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的各個參數(shù)
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