自偏置低噪放的設(shè)計與改進
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aet
文檔大小：256 K
標簽： RF|微波
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文檔介紹：分析了貼片電容的非理想特性在C波段及以上頻率的自偏置電路旁路應(yīng)用中對低噪放設(shè)計的不利影響。分析表明,貼片電容用做自偏置旁路時將嚴重惡化電路的穩(wěn)定性和噪聲指標。提出了對自偏置電路的改進方法及工藝實現(xiàn)，從而避免了電容對指標的負面影響。為了驗證改進電路的優(yōu)勢，采用改進的自偏置電路設(shè)計了6 GHz~9 GHz低噪放，實驗結(jié)果很好地驗證了其分析。
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