| 飛思卡爾擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品系列引領(lǐng)非易失性存儲(chǔ)器的未來(lái) | |
| 所屬分類(lèi):解決方案 | |
| 上傳者:aet | |
| 文檔大小:141 K | |
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| 文檔介紹:經(jīng)常有人將磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)稱(chēng)作是非易失性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),MRAM可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù),并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒(méi)有限制的。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其它要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。 | |
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