基于功耗限制的CMOS低噪聲放大器最優(yōu)化設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
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文檔介紹：分析了進行功耗限制條件下怎樣得到低噪聲放大器的最優(yōu)噪聲，并就阻抗匹配及小信號電壓增益進行了詳細討論。介紹了采用0.25um CMOS工藝設計的工作在2.4GHz頻率下的全集成低噪聲放大器。模擬結果表明，在2.4GHz工作頻率下，低噪聲放大器的功耗為16mW，正向增益S21可達15dB，反射參數S11、S22分別小于-23dB和-20dB，噪聲系數NF為2.7dB，三階互調點IIP3為-0.5dB。
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