| 延長(zhǎng)CMOS壽命的關(guān)鍵因素 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：326 K | |
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| 文檔介紹：對(duì)于模擬CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過(guò)壓。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對(duì)。 | |
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