延長CMOS壽命的關(guān)鍵因素
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
文檔大小：326 K
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文檔介紹：對于模擬CMOS（互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對。
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