0.13μm射頻MOS場效應晶體管特性及模擬
所屬分類：解決方案
上傳者：news
文檔大?。?span>396 K
標簽： ADI TI FPGA
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文檔介紹：采用0113μm CMOS 射頻和混合信號工藝進行了射頻nMOS 場效應晶體管版圖的優(yōu)化設計和芯片制作.對制作的射頻nMOS 器件進行了直流特性和S 參數(shù)測試, 測試結果表明射頻nMOS 管的特征頻率f T 達到了93GHz , f max超過了90GHz . 采用小信號等效電路模型對該nMOS 管的交流特性進行了模擬. 在100MHz 到30GHz 頻率范圍內得到了與測試結果相吻合的仿真結果.
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