IGBT模塊系列 | |
所屬分類:教程|講義 | |
上傳者:serena | |
標(biāo)簽: IGBT MOSFET 復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件 | |
所需積分:1分積分不夠怎么辦? | |
文檔介紹: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。 | |
現(xiàn)在下載 | |
VIP會員,AET專家下載不扣分;重復(fù)下載不扣分,本人上傳資源不扣分。 |
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2