一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： 集成電路 LDMOS
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文檔介紹：提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。
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