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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

EMI會(huì)造成干擾嗎？EMI來(lái)自哪里？

電磁干擾(EMI)已經(jīng)成為我們生活的一部分，要不要處理呢？許多人認(rèn)為，電子解決方案的廣泛應(yīng)用是一件好事，因?yàn)樗o我們的生活帶來(lái)舒適、安全的享受，并把醫(yī)療服務(wù)帶到我們的身邊。但是，這些解決方案同時(shí)也產(chǎn)生了具有電子危害的EMI信號(hào)。

發(fā)表于：6/5/2012

從比亞迪電動(dòng)車起火看電池安全問(wèn)題

動(dòng)力電池的安全性是電動(dòng)車中使用中最應(yīng)受關(guān)注的問(wèn)題。中國(guó)的整車企業(yè)對(duì)動(dòng)力電池均不太熟悉，因此，大多數(shù)企業(yè)都采用外購(gòu)電池的方式。

發(fā)表于：6/5/2012

iPhone 6等智能手機(jī)電池該注意的事項(xiàng)

視頻和游戲質(zhì)量更好，顯示屏更生動(dòng)精致，其發(fā)展速度都沿襲了摩爾定律，但使用的電池卻無(wú)法滿足需求。智能手機(jī)用戶抱怨電池續(xù)航時(shí)間太短已經(jīng)成為一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)。

發(fā)表于：6/5/2012

IntersilISL70001SEH輻射加固FPGA電源解決方案

Intersil公司的ISL70001SEH是集成了MOSFET的輻射和SEE加固的高效同步降壓穩(wěn)壓器,輸入電壓3V到5.5V,輸出電壓從0.8V到輸入電壓的~85%,TJ≤+150℃時(shí)的輸出負(fù)載電流6A,效率大于90%,開關(guān)頻率1MHz或500kHz,輻射劑量為100krad(Si),SEL和SEBLETTH為86.4MeV/mg/cm2,主要用在FPGA,CPLD,DSP,CPUCore和I/O電源,低壓大容量分布電源.本文介紹了ISL70001SEH主要特性,方框圖,主/從模式典型應(yīng)用電路,以及輻射加固FPGA電源參考設(shè)計(jì)和VIRT

發(fā)表于：6/5/2012

如何把握可充電池的充電時(shí)間

鎳氫、鎳鎘電池充電時(shí)。如何保持在一個(gè)最佳的時(shí)間段內(nèi)，以便既充滿電又不發(fā)生過(guò)充電，是使用以上兩種充電電池的使用者關(guān)心的問(wèn)題。

發(fā)表于：6/5/2012

為調(diào)制解調(diào)器/交換機(jī)等小設(shè)備制作不間斷電源

最初受一些廉價(jià)萬(wàn)能手機(jī)充電器的影響，未設(shè)置恒流部分（圖1虛線框內(nèi)）。兩組手機(jī)電池借助繼電器K1、K2的觸點(diǎn)K1-1、K2-1的作用并聯(lián)充電、串聯(lián)放電，使電壓達(dá)到交換機(jī)使用的6V~12V電壓。當(dāng)外部電源接通且電池電壓未達(dá)到4.2V時(shí)，431的k極呈高阻抗，R1、T1、T2為電池提供恒定的電流，同時(shí)外部12V電源經(jīng)Dl直接給交換機(jī)供電。

發(fā)表于：6/5/2012

處理兩種輸入電壓的雙穩(wěn)壓器

無(wú)負(fù)載下的靜態(tài)耗電大約為500μA。低頻轉(zhuǎn)換器可降低功耗，代價(jià)是要用較大的電感。兩種模式下，DC/DC轉(zhuǎn)換器部分的效率均為73%。

發(fā)表于：6/5/2012

MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET，業(yè)內(nèi)的一個(gè)趨勢(shì)是從SO-8等標(biāo)準(zhǔn)引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉(zhuǎn)變。對(duì)于大電流應(yīng)用，常用的是功率6mm x 5mm封裝，例如PowerPAK® SO-8。但對(duì)于電流較小的應(yīng)用，發(fā)展趨勢(shì)是向PowerPAK 1212-8這樣的3mm x 3mm功率封裝轉(zhuǎn)變。在這類封裝中，RDS（on）已經(jīng)足夠低，使得這類芯片可以廣泛用于筆記本電腦中的10A DC-DC應(yīng)用。

發(fā)表于：6/4/2012

Microsemi擴(kuò)展RF功率MOSFET產(chǎn)品系列

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM) 領(lǐng)域的RF發(fā)生器中使用，例如用于半導(dǎo)體、LCD和太陽(yáng)能電池制造的等離子生成，以及工作頻率高達(dá)30 MHz 的CO2激光器。

發(fā)表于：6/4/2012

恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. （納斯達(dá)克：NXPI）今天宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試（性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求），同時(shí)具有極低PPM 水平。

發(fā)表于：6/4/2012