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快訊

OpenAI遭遇GPT-4o及4o-mini模型性能下降問題

OpenAI遭遇GPT-4o及4o-mini模型性能下降問題

發(fā)表于：1/21/2025 9:27:02 AM

黃仁勛：斷供先進芯片非本意英偉達不能沒有中國

1月21日消息，英偉達CEO黃仁勛沒有去參加美國當選總統(tǒng)特朗普的就職典禮，現(xiàn)身北京參加公司年會。期間黃仁勛也是接受媒體的采訪，其公開表示，英偉達不能沒有中國。

發(fā)表于：1/21/2025 9:17:12 AM

Gartner警告AI將導致移動應用使用量下降25%

北京時間1月20日下午消息，Gartner預測，由于AI助手的使用增加，移動應用的使用量將下降25%。

發(fā)表于：1/21/2025 9:07:35 AM

IDC發(fā)布《中國AI開源框架市場研究報告（2024）》報告

1月20日晚間消息（舒允文）近日，國際權威數(shù)據調研機構IDC發(fā)布《中國AI開源框架市場研究報告（2024）》報告。報告顯示，昇思MindSpore AI框架在2024年新增市場份額達30.26%，位列中國框架第一，成為發(fā)展最快的自主創(chuàng)新開源框架。

發(fā)表于：1/21/2025 8:57:00 AM

經緯信安拳頭產品攜手飛騰完成產品兼容性互認證

2016年，信創(chuàng)國產化戰(zhàn)略首次被明確清晰地提出。此后多年，我司一直是信創(chuàng)國產化戰(zhàn)略堅定的擁護者、踐行者，并在信創(chuàng)國產化的道路上不斷開拓，與眾多信創(chuàng)友商完成了產品兼容性互認證。近日，我司又攜手飛騰圓滿完成了核心產品戍將攻擊誘捕平臺產品兼容性互認證，在信創(chuàng)國產化戰(zhàn)略的道路上再度踏出了堅實的一步。

發(fā)表于：1/20/2025 5:07:34 PM

經緯信安多項產品通過CNNVD資質證書認證

近日，經緯信安旗下三款網絡安全產品通過了國家信息安全漏洞庫（CNNVD）兼容性認證測試，榮獲了由中國信息安全測評中心頒發(fā)的國家信息安全漏洞庫兼容性資質證書。三款產品分別為：戍將攻擊誘捕平臺、緯將擴展檢測響應平臺和見未形風險評估系統(tǒng)。

發(fā)表于：1/20/2025 4:58:12 PM

我國專家成功當選國際電工委員會核儀器儀表技術委員會主席

1 月 20 日消息，據央視新聞今日援引國家標準委消息，經國際電工委員會（IEC）相關技術委員會及 IEC 標準化管理局兩輪投票選舉，近日，來自我國中核集團的專家肖晨當選國際電工委員會核儀器儀表技術委員會（IEC / TC 45）主席。

發(fā)表于：1/20/2025 3:02:14 PM

力積電將攜手臺積電開發(fā)六層晶圓堆疊技術

1月20日消息，業(yè)內傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關鍵中介層技術方面獲得了臺積電認證，將協(xié)同臺積電打入英偉達、AMD等AI巨頭供應鏈，并攜手臺積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術比三星更強，有望抓住AI商機，推動業(yè)績增長。

發(fā)表于：1/20/2025 1:01:15 PM

傳臺積電將再建兩座CoWoS先進封裝廠

1月20日消息，據臺媒《經濟日報》報道稱，為應對旺盛的CoWoS先進封裝產能需求，傳聞臺積電計劃在南科三期再蓋兩座CoWoS新廠，投資金額估逾新臺幣2,000億元。如果再加上臺積電正在嘉科園區(qū)建設的CoWoS新廠，業(yè)界預期，臺積電短期內總計將擴充八座CoWoS廠，其中，南科至少有六座，以實際擴產行動回應此前的CoWoS砍單傳聞。

發(fā)表于：1/20/2025 11:37:16 AM

美國商務部宣布投資14億美元支持四個先進封裝項目

當?shù)貢r間1月17日消息，美國商務部宣布，“芯片法案”國家先進封裝制造計劃（NAPMP）已敲定 14 億美元的獎勵資金，以加強美國在先進封裝領域的領導地位，并使新技術得到驗證并大規(guī)模過渡到美國制造。這些獎項將有助于建立一個自給自足、大批量的國內先進封裝行業(yè)，其中先進節(jié)點芯片在美國制造和封裝。

發(fā)表于：1/20/2025 11:26:06 AM

SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進1c nm制程DRAM量產

1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當?shù)貢r間今日報道稱，SK 海力士近日已成功完成內存業(yè)界最先進 1c 納米制程 DRAM 的批量產品認證，連續(xù)多個以 25 塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求。 SK 海力士有望在完成量產交接手續(xù)后于 2 月初正式啟動 1c 納米 DRAM 量產。

發(fā)表于：1/20/2025 11:15:12 AM

臺積電確認已在美國大規(guī)模生產4nm芯片

1 月 18 日消息，據外媒 Tom's Hardware 報道，臺積電確認其美國亞利桑那州的 Fab 21 晶圓廠在 2024 年第四季度已開始進入大批量生產 4nm 工藝（N4P）工藝芯片。

發(fā)表于：1/20/2025 11:06:13 AM

全國首條AMOLED用第8.6代金屬掩膜版生產線開建

1 月 19 日消息，據“湖北工信”消息，1 月 13 日，第 8.6 代金屬掩膜版生產線項目在黃石經濟技術開發(fā)區(qū)開工。現(xiàn)場，中國科學院院士歐陽鐘燦介紹，作為全球首批、全國首條第 8.6 代金屬掩膜版生產線，項目將填補國內產業(yè)鏈空白。

發(fā)表于：1/20/2025 10:55:44 AM

中科星圖低空云正式發(fā)布

1 月 20 日消息，中科星圖股份有限公司昨日轉發(fā)央視新聞報道，我國低空場景下的綜合性服務平臺“星圖低空云”已于 1 月 18 日正式發(fā)布，可為低空飛行器的精細化空域管理及安全飛行服務保障提供支撐。

發(fā)表于：1/20/2025 10:45:10 AM

射頻前端芯片研發(fā)投入分析

在當今的通信技術領域，射頻前端設計至關重要，它是實現(xiàn)無線信號收發(fā)的關鍵環(huán)節(jié)，其性能直接影響著通信設備的質量和用戶體驗。射頻前端設計公司由于產品具有技術密集、更新?lián)Q代快等特性，需要持續(xù)的高研發(fā)投入來保持競爭力。射頻前端芯片產品涉及多種復雜技術，如濾波器、功率放大器、低噪聲放大器等的設計與制造工藝。這些技術不僅要滿足不斷提升的通信標準，如從4G 到 5G 乃至未來 6G 的演進，還要適應各類終端設備小型化、多功能化的需求。每一次技術的升級和應用場景的拓展，都要求對產品進行重新設計和優(yōu)化，需要不斷投入開發(fā)新的芯片設計方案以滿足變化的市場需求，這無疑需要大量的研發(fā)資源投入。

發(fā)表于：1/20/2025 10:36:19 AM