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2025年三星晶圓代工投資規(guī)模減半

1月22日消息，根據(jù)TrendForce的報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元減少至5萬億韓元，這一削減幅度達(dá)到了50%。

發(fā)表于：1/23/2025 9:24:42 AM

兩院院士評(píng)選出2024年中國/世界十大科技進(jìn)展

1月22日電 (記者孫自法)由中國科學(xué)院、中國工程院主辦的“兩院院士評(píng)選2024年中國/世界十大科技進(jìn)展新聞”，1月22日在江蘇南京揭曉，嫦娥六號(hào)月背采樣、首張“宇宙地圖”照片等20項(xiàng)重大科技成果分別入選。

發(fā)表于：1/23/2025 9:15:00 AM

意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries擱置75億歐元合資晶圓廠項(xiàng)目

1月22日消息，據(jù)Eenews europe報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和GlobalFoundries已決定擱置共同投資75億歐元在法國Crolles建造一座合資FDSOI晶圓廠的計(jì)劃。早在2022年7月，意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries就宣布將在法國Crolles建立合資晶圓廠，隨后在2023年6月，意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries正式簽署了建設(shè)該合資晶圓廠的合作協(xié)議。

發(fā)表于：1/23/2025 9:06:07 AM

字節(jié)跳動(dòng)回應(yīng)120億美元投資AI基礎(chǔ)設(shè)施

1 月 22 日消息，《金融時(shí)報(bào)》今日?qǐng)?bào)道稱，字節(jié)跳動(dòng)正大舉投資 AI 基礎(chǔ)設(shè)施，計(jì)劃今年投入超 120 億美元（注：當(dāng)前約 873.4 億元人民幣）。對(duì)此，字節(jié)跳動(dòng)相關(guān)人士回應(yīng)第一財(cái)經(jīng)稱：相關(guān)消息并不準(zhǔn)確。字節(jié)跳動(dòng)非常重視人工智能領(lǐng)域的發(fā)展與投入，但相關(guān)預(yù)算與規(guī)劃傳聞并不正確。《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，字節(jié)跳動(dòng)計(jì)劃 2025 年斥資 400 億元人民幣采購 AI 芯片，而且該公司還準(zhǔn)備在海外投資約 68 億美元（當(dāng)前約 494.93 億元人民幣），利用英偉達(dá) AI 芯片提升其基礎(chǔ)模型訓(xùn)練能力。

發(fā)表于：1/23/2025 8:55:00 AM

英飛凌推出最新高性能微控制器系列PSOC? Control MCU

2025年1月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基于Arm® Cortex®-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列PSOC? Control。

發(fā)表于：1/22/2025 5:56:31 PM

恩智浦發(fā)布EdgeLock A30，簡化工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備認(rèn)證

中國上海——2025年1月22日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）近日宣布推出EdgeLock A30安全認(rèn)證器，進(jìn)一步擴(kuò)大被廣泛采用的恩智浦EdgeLock獨(dú)立安全解決方案產(chǎn)品系列，繼續(xù)致力于提供工業(yè)和智能家居能源管理創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。

發(fā)表于：1/22/2025 4:40:37 PM

【回顧與展望】是德科技：向綠而行，推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展

可再生能源領(lǐng)域在 2025 年開局便展現(xiàn)出了四大顯著的發(fā)展趨勢。具體來說，就是數(shù)據(jù)管理將助推可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域積極擁抱AI技術(shù)；與此同時(shí)，向著可再生能源轉(zhuǎn)型和發(fā)展的步伐將進(jìn)一步加快；全球可再生能源發(fā)電領(lǐng)域也將繼續(xù)刷新進(jìn)度條；最后需要強(qiáng)調(diào)的一點(diǎn)是，政府的激勵(lì)措施對(duì)于推動(dòng)分布式能源的采用依然至關(guān)重要。是德科技企業(yè)社會(huì)責(zé)任總監(jiān) Michele Robinson 和是德科技可持續(xù)發(fā)展與 EHS（環(huán)境、健康與安全）全球總監(jiān) Claire McCarthy ，兩位是德科技專家圍繞上述重要話題分享了具有專業(yè)價(jià)值的見解和思考。

發(fā)表于：1/22/2025 1:55:21 PM

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。中國科學(xué)院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作，共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng)，已搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船并成功通過太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。案，牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代。

發(fā)表于：1/22/2025 11:03:04 AM

消息稱Arm計(jì)劃將授權(quán)許可費(fèi)用漲價(jià)至高300%

1 月 21 日消息，據(jù)外媒 Sammobile 報(bào)道，Arm 正準(zhǔn)備大幅度提高授權(quán)許可的費(fèi)用（最高漲價(jià) 300%），此舉將對(duì)三星 Exynos 芯片未來發(fā)展造成嚴(yán)重影響。

發(fā)表于：1/22/2025 10:52:33 AM

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動(dòng)

發(fā)表于：1/22/2025 10:42:06 AM

傳三星和LG擬將部分家電產(chǎn)線從墨西哥轉(zhuǎn)向美國

據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)新聞（Korea Economic Daily）1月21日?qǐng)?bào)導(dǎo)，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產(chǎn)線從墨西哥廠轉(zhuǎn)移至美國廠。

發(fā)表于：1/22/2025 10:32:40 AM

OpenAI攜手軟銀甲骨文等5000億美元成立AI新公司Stargate

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日，美國新任總統(tǒng)特朗普宣布，OpenAI、軟銀、甲骨文（Oracle）等聯(lián)合成立一家新的AI公司“Stargate”（星際之門），未來四年將投資5000億美元，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造10萬個(gè)工作崗位。現(xiàn)在，該公司會(huì)立刻投資1000億美元，用于建設(shè)AI基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)表于：1/22/2025 10:23:00 AM

三星HBM3內(nèi)存首次通過AMD MI300X中實(shí)現(xiàn)商用

1月21日消息，研究機(jī)構(gòu) TechInsights今天表示，其揭示了三星HBM3內(nèi)存的首個(gè)商用實(shí)例，該內(nèi)存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights稱，三星于2023年8月宣布HBM3內(nèi)存面世，其在商用產(chǎn)品中的部署對(duì)內(nèi)存制造商和AI芯片制造商來說都是一個(gè)重要的里程碑。據(jù)了解，MI300X擁有最多8個(gè)XCD核心，304組CU單元，8組HBM3核心，顯存容量提升到了192GB，，同時(shí)HBM內(nèi)存帶寬高達(dá)5.2TB/s，Infinity Fabric總線帶寬也有896GB/s。

發(fā)表于：1/22/2025 10:13:13 AM

消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級(jí) DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡寫），專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn)，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：1/22/2025 10:03:58 AM

第三代中國自主量子計(jì)算編程框架發(fā)布

1月21日消息，為了充分挖掘量子計(jì)算的巨大潛力，本源量子自主研發(fā)了QPanda量子計(jì)算編程框架。這一創(chuàng)新工具旨在幫助開發(fā)者更高效地設(shè)計(jì)、優(yōu)化、運(yùn)行及理解量子程序。

發(fā)表于：1/22/2025 9:53:51 AM