頭條 “網(wǎng)絡安全”再次成為眾多兩會代表提案的關鍵詞 今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關鍵詞。隨著網(wǎng)絡的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 國內碳酸鋰電池供應大幅過剩 8月1日消息，據(jù)國內媒體報道稱，2024年國內碳酸鋰產(chǎn)量預計達65萬噸，同比增加41%，其中下半年供給端可能有更多增量釋放，鋰價或將在下半年跌至年內最低點。 在專家看來，今年二季度起，國內產(chǎn)量和進口量均在增加，導致每月鋰鹽供應出現(xiàn)過剩，且過剩量都在上萬噸級別，基本面走勢明確。 “接下來的“金九銀十”期間可能引起產(chǎn)業(yè)鏈下游補庫，幫助減少鋰鹽過剩量，但進入11月和12月，鋰鹽供應或將再度進入大幅過剩局面，全年平衡預計過剩約10萬噸?！睂＜艺f道。 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱美國8月將升級對華半導體限制 傳美國將升級對華半導體限制：120個中國實體將被禁，涉及晶圓廠、設備商、EDA廠商！ 發(fā)表于：8/1/2024 美國研究團隊最新研制出存算一體CRAM技術 7 月 31 日消息，來自明尼蘇達大學雙城校區(qū)的研究團隊最新研制出計算隨機存取存儲器（CRAM），可以將 AI 芯片的能耗降至千分之一。 發(fā)表于：8/1/2024 美國推遲對中國電動汽車等產(chǎn)品加征關稅 8 月 1 日消息，美國計劃對中國進口電動汽車征收 100% 關稅的政策不僅澆滅了極氪、比亞迪等中國車企進軍美國市場的熱情，也給美國本土汽車制造商帶來了不小的麻煩，原本計劃于 2025 年和 2026 年進入美國市場的別克 Electra E5 和 E4 車型因關稅問題被迫擱置。 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱2025年中國SiC芯片價格將下降高達30% 據(jù)報道，業(yè)內人士表示，預計未來兩年中國碳化硅（SiC）芯片價格將下降高達30%。 這歸因于越來越多的本地生產(chǎn)商獲得電動汽車認證并擴大了其制造能力。消息人士稱，預計中國供應商的SiC元件將在2025年底開始大規(guī)模滲透電動汽車市場，打破國際供應商在該市場的主導地位。 發(fā)表于：8/1/2024 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術：寫入速度比競品快99%！ 發(fā)表于：8/1/2024 維信諾聯(lián)合昇顯和睿科微電子完成世界首顆嵌入式RRAM存儲技術AMOLED顯示驅動芯片的開發(fā)和認證 維信諾聯(lián)合昇顯、?？莆㈦娮油瓿墒澜缡最w嵌入式 RRAM 存儲技術 AMOLED 顯示驅動芯片的開發(fā)和認證 發(fā)表于：8/1/2024 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 Intel從二季度開始，每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 發(fā)表于：8/1/2024 英偉達Blackwell高耗能推動AI服務器水冷方案發(fā)展 集邦咨詢：英偉達 Blackwell 高耗能推動散熱需求，預估年底 AI 服務器水冷方案滲透率達 10% 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設規(guī)劃造成了影響。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產(chǎn)，對應的 QLC 版本則將于今年下半年進入量產(chǎn)階段。 然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達 PRA（IT之家注：應指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務器存儲需求的熱點。 明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。 發(fā)表于：8/1/2024 ?…763764765766767768769770771772…?
