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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒(méi)有網(wǎng)絡(luò)安全就沒(méi)有國(guó)家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問(wèn)題已對(duì)國(guó)家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題，代表委員們都有哪些好的建議。

e絡(luò)盟發(fā)售功能強(qiáng)大的入門(mén)級(jí) Raspberry Pi 5 2GB

　　中國(guó)上海，2024年9月2日——安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟日前開(kāi)售極具性?xún)r(jià)比的全新 Raspberry Pi 5 2GB。

發(fā)表于：9/3/2024

消息稱(chēng)三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化

消息稱(chēng)三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子和 SK 海力士的“類(lèi) HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國(guó)內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來(lái)重要收入來(lái)源，計(jì)劃將“類(lèi) HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動(dòng)力。綜合IT之家此前報(bào)道，三星電子的此類(lèi)產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱(chēng)為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線(xiàn)，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達(dá) 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線(xiàn)鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

發(fā)表于：9/3/2024

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS 結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被限制在靠近 P 體區(qū)域的狹窄 N 區(qū)中，流過(guò)時(shí)會(huì)產(chǎn)生 JFET 效應(yīng)，增加通態(tài)電阻，且寄生電容較大。

發(fā)表于：9/3/2024

傳英特爾考慮出售FPGA芯片業(yè)務(wù)Altera

9月2日消息，據(jù)路透社援引知情人士的話(huà)報(bào)道稱(chēng)，英特爾CEO基辛格和高級(jí)主管預(yù)計(jì)將在本月向公司董事會(huì)提交一項(xiàng)計(jì)劃，以削減不必要的業(yè)務(wù)，以降低成本并減少資本支出，包括考慮剝離晶圓制造業(yè)務(wù)，暫停德國(guó)晶圓廠(chǎng)建設(shè)，以及出售可編程芯片（FPGA）部門(mén)Altera。英特爾已經(jīng)在今年一季度將其制造業(yè)務(wù)進(jìn)行了獨(dú)立，并單獨(dú)報(bào)告財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，以確保設(shè)計(jì)部門(mén)和制造部門(mén)保持獨(dú)立的市場(chǎng)化運(yùn)作，進(jìn)一步推動(dòng)其晶圓代工業(yè)務(wù)的發(fā)展。英特爾預(yù)期，分拆制造業(yè)務(wù)后，2023年可以節(jié)省 30 億美元成本， 2025 年將節(jié)省 80-100 億美元成本。并且，基于這種模式，英特爾2025年還有望成為全球第二大晶圓代工廠(chǎng)，代工收入將超過(guò) 200 億美元。同時(shí)，設(shè)計(jì)部門(mén)毛利率也將提升至 45%、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為 20%。

發(fā)表于：9/3/2024

2024年第二季度聯(lián)發(fā)科繼續(xù)領(lǐng)跑智能手機(jī)處理器市場(chǎng)

9 月 2 日消息，研究機(jī)構(gòu) Canalys 今日發(fā)布 2024 年第二季度智能手機(jī)處理器廠(chǎng)商數(shù)據(jù)（按智能手機(jī)出貨量統(tǒng)計(jì)），聯(lián)發(fā)科繼續(xù)保持領(lǐng)先處理器廠(chǎng)商地位，出貨量達(dá) 1.153 億臺(tái)，同比增長(zhǎng) 7%。

發(fā)表于：9/3/2024

國(guó)內(nèi)首個(gè)五星5G工廠(chǎng)建設(shè)完成

9月2日消息，據(jù)中國(guó)信通院CAICT，在工信部《5G全連接工廠(chǎng)建設(shè)指南》發(fā)布兩周年之際，國(guó)內(nèi)首個(gè)五星5G工廠(chǎng)——中興通訊南京智能濱江5G工廠(chǎng)（濱江工廠(chǎng)）宣布建設(shè)完成。該工廠(chǎng)通過(guò)了中國(guó)信息通信研究院泰爾認(rèn)證中心的認(rèn)證，成為5G技術(shù)與電子設(shè)備制造業(yè)深度融合的全新標(biāo)桿。

發(fā)表于：9/3/2024

消息稱(chēng)英特爾已砍掉Beast Lake及后續(xù)處理器產(chǎn)品

消息稱(chēng)英特爾已砍掉Beast Lake及后續(xù)處理器產(chǎn)品

發(fā)表于：9/3/2024

我國(guó)成功發(fā)射遙感四十三號(hào)02組衛(wèi)星

我國(guó)成功發(fā)射遙感四十三號(hào)02組衛(wèi)星：開(kāi)展低軌星座系統(tǒng)新技術(shù)試驗(yàn)

發(fā)表于：9/3/2024

IDC首次發(fā)布移動(dòng)端AI大模型應(yīng)用報(bào)告

9 月 3 日消息，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) IDC 昨日（9 月 2 日）首次發(fā)布了移動(dòng)端大模型應(yīng)用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析研究報(bào)告，評(píng)估了市場(chǎng)上 8 款熱門(mén) Chatbot 聊天機(jī)器人模型，并分析、洞察了相關(guān) AI 模型的性能和特征。

發(fā)表于：9/3/2024

CPC亮相ODCC，攜手英偉達(dá)為GPU提供液體冷卻技術(shù)以加速 AI 計(jì)算

　　明尼蘇達(dá)州阿登希爾斯 – 2024年9月2日 – CPC （Colder Products Company）將于2024年9月3-4日在北京國(guó)際會(huì)議中心參加一年一度的開(kāi)放數(shù)據(jù)中心大會(huì)。隨著人工智能（AI）、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，算力已成為推動(dòng)生產(chǎn)力發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。CPC宣布已加入英偉達(dá) （NVIDIA）技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)。CPC 將與生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的合作伙伴攜手，為 AI 工廠(chǎng)和數(shù)據(jù)中心提供關(guān)鍵組件。

發(fā)表于：9/3/2024