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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對(duì)國家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。中國科學(xué)院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作，共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng)，已搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船并成功通過太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。案，牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代。

發(fā)表于：1/22/2025

消息稱Arm計(jì)劃將授權(quán)許可費(fèi)用漲價(jià)至高300%

1 月 21 日消息，據(jù)外媒 Sammobile 報(bào)道，Arm 正準(zhǔn)備大幅度提高授權(quán)許可的費(fèi)用（最高漲價(jià) 300%），此舉將對(duì)三星 Exynos 芯片未來發(fā)展造成嚴(yán)重影響。

發(fā)表于：1/22/2025

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動(dòng)

發(fā)表于：1/22/2025

傳三星和LG擬將部分家電產(chǎn)線從墨西哥轉(zhuǎn)向美國

據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)新聞（Korea Economic Daily）1月21日?qǐng)?bào)導(dǎo)，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產(chǎn)線從墨西哥廠轉(zhuǎn)移至美國廠。

發(fā)表于：1/22/2025

OpenAI攜手軟銀甲骨文等5000億美元成立AI新公司Stargate

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日，美國新任總統(tǒng)特朗普宣布，OpenAI、軟銀、甲骨文（Oracle）等聯(lián)合成立一家新的AI公司“Stargate”（星際之門），未來四年將投資5000億美元，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造10萬個(gè)工作崗位?，F(xiàn)在，該公司會(huì)立刻投資1000億美元，用于建設(shè)AI基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)表于：1/22/2025

三星HBM3內(nèi)存首次通過AMD MI300X中實(shí)現(xiàn)商用

1月21日消息，研究機(jī)構(gòu) TechInsights今天表示，其揭示了三星HBM3內(nèi)存的首個(gè)商用實(shí)例，該內(nèi)存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights稱，三星于2023年8月宣布HBM3內(nèi)存面世，其在商用產(chǎn)品中的部署對(duì)內(nèi)存制造商和AI芯片制造商來說都是一個(gè)重要的里程碑。據(jù)了解，MI300X擁有最多8個(gè)XCD核心，304組CU單元，8組HBM3核心，顯存容量提升到了192GB，，同時(shí)HBM內(nèi)存帶寬高達(dá)5.2TB/s，Infinity Fabric總線帶寬也有896GB/s。

發(fā)表于：1/22/2025

消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級(jí) DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡(jiǎn)寫），專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn)，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：1/22/2025

第三代中國自主量子計(jì)算編程框架發(fā)布

1月21日消息，為了充分挖掘量子計(jì)算的巨大潛力，本源量子自主研發(fā)了QPanda量子計(jì)算編程框架。這一創(chuàng)新工具旨在幫助開發(fā)者更高效地設(shè)計(jì)、優(yōu)化、運(yùn)行及理解量子程序。

發(fā)表于：1/22/2025

Intel下代CPU Nova Lake首次現(xiàn)身

1月22日消息，在一份進(jìn)出口貨物清單上，我們首次看到了Intel未來處理器“Nova Lake”(NVL)的名字，時(shí)間是一個(gè)多月前，據(jù)悉是從Intel總部發(fā)往印度做進(jìn)一步研發(fā)測(cè)試的。清單上還寫著“i3”，顯然是一款規(guī)格較低的版本，但沒有更多信息。

發(fā)表于：1/22/2025

南方電網(wǎng)牽頭研發(fā)出全球首套±800kV特高壓直流量子電流傳感器

1月21日消息，近日，據(jù)媒體報(bào)道，由南方電網(wǎng)公司牽頭研發(fā)的全球首套±800kV特高壓直流量子電流傳感器順利通過了新產(chǎn)品技術(shù)鑒定。據(jù)悉，在研制過程中，該研究團(tuán)隊(duì)利用金剛石內(nèi)部獨(dú)特的量子特性，通過檢測(cè)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)來實(shí)現(xiàn)非接觸電流測(cè)量。由于量子的加持，它能實(shí)現(xiàn)其他傳感器所不具備的超大范圍、超高精度和高穩(wěn)定的電流測(cè)量。

發(fā)表于：1/22/2025