頭條 Microchip宣布對(duì)FPGA產(chǎn)品降價(jià)30% 5月20日消息，據(jù)EEnews europe報(bào)道，芯片大廠Microchip已將其 Polarfire FPGA 和片上系統(tǒng) （SoC） 的價(jià)格降大幅低了30%。 最新資訊 叫板英偉達(dá)的GPU 英特爾信心從何來 眾所周知，當(dāng)前幾乎所有主流的深度學(xué)習(xí)都在使用英偉達(dá)的GPU（圖形處理器）。這是由于深度學(xué)習(xí)是需要訓(xùn)練的，訓(xùn)練所需的計(jì)算量大的驚人，用傳統(tǒng)的CPU計(jì)算需要漫長(zhǎng)的時(shí)間，而GPU善于并行處理數(shù)據(jù)，能很大程度上減少深度學(xué)習(xí)訓(xùn)練方面的時(shí)間。于是，深度學(xué)習(xí)成為促成GPU發(fā)展的大好時(shí)機(jī)，原來在圖像處理領(lǐng)域擁有深厚積累的硬件制造商英偉達(dá)，超過傳統(tǒng)的計(jì)算廠商英特爾一躍成為這一領(lǐng)域的領(lǐng)軍者。如今，無論是國(guó)外的谷歌、Facebook，還是國(guó)內(nèi)的百度、阿里、騰訊等，無一例外地都在使用英偉達(dá)GPU開展深度學(xué)習(xí)研究，英偉達(dá)成為這一領(lǐng)域的幾乎唯一的供貨商。 發(fā)表于：12/5/2016 殺回了 10nm芯片大戰(zhàn)火爆英特爾怎能缺席 今年中旬傳出Intel退出智能手機(jī)市場(chǎng)的消息，就連最堅(jiān)定的盟友華碩在今年發(fā)布的ZenFone手機(jī)上面也全面使用高通驍龍芯片。不過有消息稱，Intel并沒有完全放棄智能手機(jī)市場(chǎng)這塊大肥肉，最快會(huì)在2018年重新回歸手機(jī)芯片市場(chǎng)。 發(fā)表于：12/5/2016 智能手機(jī)雙攝熱 高通聯(lián)發(fā)科將再起戰(zhàn)火 智慧型手機(jī)搭載雙鏡頭正夯，有鑒于蘋果配置雙鏡頭iPhone 7 Plus全球熱銷，中國(guó)一線手機(jī)大廠競(jìng)相搶推雙鏡頭手機(jī)，影像處理需求帶動(dòng)手機(jī)處理器新商機(jī)，可預(yù)見2017年兩大手機(jī)晶片龍頭聯(lián)發(fā)科與高通在雙鏡頭模組上將再次廝殺，聯(lián)發(fā)科可望在客制化及價(jià)格優(yōu)勢(shì)扳回一成。 發(fā)表于：12/5/2016 專利侵權(quán)的苦頭 三星在美國(guó)輸給蘋果后在國(guó)內(nèi)又輸給了這家公司 原本有超越蘋果的趨勢(shì)，但是，先是搶發(fā)新款智能手機(jī)Galaxy Note 7 ，遭遇接連不斷的爆炸，陷入產(chǎn)品危機(jī)；后來又因在中國(guó)與國(guó)外實(shí)施差別化召回策略，遭遇國(guó)內(nèi)消費(fèi)者和有關(guān)部門的聲討和約談。 發(fā)表于：12/5/2016 中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)攀高峰 可從這五方面發(fā)力 在日前召開的“2016中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)”上，工業(yè)和信息化部電子信息司龍寒冰副處長(zhǎng)表示，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機(jī)遇和挑戰(zhàn)并存。 發(fā)表于：12/5/2016 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的紅利到底有哪些 有了Ruff，開發(fā)者到底怎么玩？對(duì)于互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)之外的讀者，Ruff所做的事情聽起來一定很抽象。但是對(duì)于開發(fā)者來說，它代表的正是將物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)“具象化”——將看起來很美，做起來很難的物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)變得簡(jiǎn)便、易行。 發(fā)表于：12/4/2016 一種用于可穿戴式生理參數(shù)檢測(cè)的集成電路 提出了一種用于處理光電容積脈搏波信號(hào)的集成電路結(jié)構(gòu)，將主要應(yīng)用于可穿戴式多生理參數(shù)檢測(cè)，例如血壓、血氧、心率等。電路包括直流、交流分量分離電路，直流分量讀出電路，低通濾波器，以及矩形波產(chǎn)生電路。直流、交流分量分離電路由跨阻放大器和金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管-雙極晶體管（MOS-Bipolar）虛擬電阻構(gòu)成，可以實(shí)現(xiàn)0.07-0.7 Hz的高通截止頻率；低通濾波器可以實(shí)現(xiàn)16 Hz的低通截止頻率。電路采用標(biāo)準(zhǔn)0.13 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)，電源電壓1.2 V。 發(fā)表于：12/3/2016 AM5728概述(6) 表1-1描述標(biāo)識(shí)寄存器.這些標(biāo)識(shí)寄存器包括數(shù)據(jù)寄存器列表在表1-2和表1-4中，這些寄存器只讀。 發(fā)表于：12/3/2016 AM5728概述(5) 3個(gè)PWM子系統(tǒng)（PWMSS），每個(gè)包含增強(qiáng)的高精度脈沖寬度調(diào)制器（eHRPWM），增強(qiáng)的捕獲（eCAP）和增強(qiáng)的4編碼脈沖（eQEP）模塊.實(shí)時(shí)時(shí)鐘子系統(tǒng)（RTCSS），支持4個(gè)外部喚醒輸入和一個(gè)電源使能輸出，它們都是3.3V或1.8V多電壓I/Os 發(fā)表于：12/3/2016 AM5728概述(4) 系統(tǒng)DMA控制器具有128個(gè)硬件請(qǐng)求，32個(gè)優(yōu)先級(jí)的邏輯通道，256x64bitFIFO在有效的通道間可動(dòng)態(tài)定位.EDMA控制器支持2個(gè)同時(shí)讀和兩個(gè)同時(shí)寫物理通道，多達(dá)64個(gè)可編程邏輯通道。動(dòng)態(tài)內(nèi)存管理（DMM）模塊，執(zhí)行全局地址翻譯，地址旋轉(zhuǎn)（tiling）和在兩個(gè)EMIF通道間的交織存取 發(fā)表于：12/3/2016 ?…876877878879880881882883884885…?
