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英飛凌推出采用TO-220 FullPAK全隔離封裝的第二代ThinQ!TM碳化硅肖特基二極管

2010-05-19
作者:英飛凌

  英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。
 
  獨具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝,該技術大大降低了內部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散熱缺陷。英飛凌推出的600 V FullPAK產品系列的額定電流范圍為2 A至6 A,是業(yè)界采用這種封裝的SiC二極管最全的產品系列。
 
  碳化硅(SiC)是一種適用于功率半導體的革命性材料,其物理屬性遠遠優(yōu)于硅功率器件。關鍵特性包括標桿性的開關性能、沒有反向恢復電流、溫度幾乎不會影響開關行為和標準工作溫度范圍為-55°至175°C。SiC肖特基二極管的主要應用領域有,開關電源(SMPS)中的有源功率因素校正(PFC),以及諸如太陽能逆變器和電機驅動裝置等其他AC/DC和DC/DC功率轉換應用。FullPAK產品系列特別適用于平板顯示器(LCD/PDP)和計算機中的電源應用。
 
  早在2001年,英飛凌就率先推出了全球第一款SiC肖特基二極管。過去幾年,英飛凌的SiC肖特基二極管技術已經在諸如抗浪涌電流穩(wěn)定性、開關性能、產品成本和封裝等方面,取得了許多顯著進步,進一步發(fā)揮了SiC技術的優(yōu)越性。SiC肖特基二極管有兩個電壓級別:600 V和1200 V。
 
供貨和定價
  全系列產品已經開始投產。定價與采用TO220封裝的同等器件相當。
 
關于英飛凌
  總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、連通性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。2009財年(截止到9月份),公司實現銷售額30.3億歐元,在全球擁有約25,650名雇員。英飛凌科技公司的業(yè)務遍及全球,在美國苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場(OTCQX)International Premier(股票代號:IFNNY)掛牌上市。
 
英飛凌在中國
  英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有1300多名員工,已經成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈,并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。
 

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