《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電源技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 電源輸入端口的電磁兼容設(shè)計(jì)
電源輸入端口的電磁兼容設(shè)計(jì)
摘要: 分析了開(kāi)關(guān)電源輸入端EMC設(shè)計(jì)的原理,并在一些實(shí)踐基礎(chǔ)上提出了具體的抑制EMI的措施。
Abstract:
Key words :

1 引言

開(kāi)關(guān)電源一般都采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)技術(shù),其特點(diǎn)是頻率高,效率高,功率密度高,可靠性高。然而,由于其開(kāi)關(guān)器件工作在高頻通斷狀態(tài),高頻的快速瞬變過(guò)程本身就是一電磁騷擾(EMD)源,它產(chǎn)生的EMI信號(hào)有很寬的頻率范圍,又有一定的幅度。若把這種電源直接用于數(shù)字設(shè)備,則設(shè)備產(chǎn)生的EMI信號(hào)會(huì)變得更加強(qiáng)烈和復(fù)雜。

本文從開(kāi)關(guān)電源的工作原理出發(fā),探討抑制傳導(dǎo)干擾的EMI濾波器的設(shè)計(jì)以及對(duì)輻射EMI的抑制。

2 開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生EMI的機(jī)理

數(shù)字設(shè)備中的邏輯關(guān)系是用脈沖信號(hào)來(lái)表示的。為便于分析,把這種脈沖信號(hào)適當(dāng)簡(jiǎn)化,用圖1所示的脈沖串表示。根據(jù)傅里葉級(jí)數(shù)展開(kāi)的方法,可用式(1)計(jì)算出信號(hào)所有各次諧波的電平。

An=2Vo(1)

n=1,2,3…

式中:An為脈沖中第n次諧波的電平;

Vo為脈沖的電平;

T為脈沖串的周期;

tw為脈沖寬度;

tr為脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間。

圖1 脈沖信號(hào)

開(kāi)關(guān)電源具有各式各樣的電路形式,但它們的核心部分都是一個(gè)高電壓、大電流的受控脈沖信號(hào)源。假定某PWM開(kāi)關(guān)電源脈沖信號(hào)的主要參數(shù)為:Vo=500V,T=2×10-5s,tw=10-5s,tr=0.4×10-6s,則其諧波電平如圖2所示。

圖2 開(kāi)關(guān)電源的諧波電平

圖2中開(kāi)關(guān)電源內(nèi)脈沖信號(hào)產(chǎn)生的諧波電平,對(duì)于其他電子設(shè)備來(lái)說(shuō)即是EMI信號(hào),這些諧波電平可以從對(duì)電源線的傳導(dǎo)干擾(頻率范圍為0.15~30MHz)和電場(chǎng)輻射干擾(頻率范圍為30~1000MHz)的測(cè)量中反映出來(lái)。

在圖2中,基波電平約160dBμV,500MHz約30dBμV,所以,要把開(kāi)關(guān)電源的EMI電平都控制在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值內(nèi),是有一定難度的。

2 開(kāi)關(guān)電源EMI濾波器的電路設(shè)計(jì)

當(dāng)開(kāi)關(guān)電源的諧波電平在低頻段(頻率范圍0.15~30MHz)表現(xiàn)在電源線上時(shí),稱(chēng)之為傳導(dǎo)干擾。要抑制傳導(dǎo)干擾相對(duì)比較容易,只要使用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器,就能將其在電源線上的EMI信號(hào)電平抑制在相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值內(nèi)。

要使EMI濾波器對(duì)EMI信號(hào)有最佳的衰減性能,則濾波器阻抗應(yīng)與電源阻抗失配,失配越厲害,實(shí)現(xiàn)的衰減越理想,得到的插入損耗特性就越好。也就是說(shuō),如果噪音源內(nèi)阻是低阻抗的,則與之對(duì)接的EMI濾波器的輸入阻抗應(yīng)該是高阻抗(如電感量很大的串聯(lián)電感);如果噪音源內(nèi)阻是高阻抗的,則EMI濾波器的輸入阻抗應(yīng)該是低阻抗(如容量很大的并聯(lián)電容)。這個(gè)原則也是設(shè)計(jì)抑制開(kāi)關(guān)電源EMI濾波器必須遵循的。

幾乎所有設(shè)備的傳導(dǎo)干擾都包含共模噪音和差模噪音,開(kāi)關(guān)電源也不例外。共模干擾是由于載流導(dǎo)體與大地之間的電位差產(chǎn)生的,其特點(diǎn)是兩條線上的雜訊電壓是同電位同向的;而差模干擾則是由于載流導(dǎo)體之間的電位差產(chǎn)生的,其特點(diǎn)是兩條線上的雜訊電壓是同電位反向的。通常,線路上干擾電壓的這兩種分量是同時(shí)存在的。由于線路阻抗的不平衡,兩種分量在傳輸中會(huì)互相轉(zhuǎn)變,情況十分復(fù)雜。典型的EMI濾波器包含了共模雜訊和差模雜訊兩部分的抑制電路,如圖3所示。

圖3 電源濾波器

圖中:差模抑制電容Cx1,Cx2 0.1~0.47μF;

差模抑制電感L1,L2 100~130μH;

共模抑制電容Cy1,Cy2 <10000pF;

共模抑制電感L 15~25mH。

設(shè)計(jì)時(shí),必須使共模濾波電路和差模濾波電路的諧振頻率明顯低于開(kāi)關(guān)電源的工作頻率,一般要低于10kHz,即f=<10kHz

在實(shí)際使用中,由于設(shè)備所產(chǎn)生的共模和差模的成分不一樣,可適當(dāng)增加或減少濾波元件。具體電路的調(diào)整一般要經(jīng)過(guò)EMI試驗(yàn)后才能有滿(mǎn)意的結(jié)果,安裝濾波電路時(shí)一定要保證接地良好,并且輸入端和輸出端要良好隔離,否則,起不到濾波的效果。開(kāi)關(guān)電源所產(chǎn)生的干擾以共模干擾為主,在設(shè)計(jì)濾波電路時(shí)可嘗試去掉差模電感,再增加一級(jí)共模濾波電感。常采用如圖4所示的濾波電路,可使開(kāi)關(guān)電源的傳導(dǎo)干擾下降了近30dB,比CISOR22標(biāo)準(zhǔn)的限值低了近6dB以上。

 

圖4 電源濾波器

還有一個(gè)設(shè)計(jì)原則是不要過(guò)于追求濾波效果而造成成本過(guò)高,只要達(dá)到EMC標(biāo)準(zhǔn)的限值要求并有一定的余量(一般可控制在6dB左右)即可。

3 輻射EMI的抑制措施

如前所述,開(kāi)關(guān)電源是一個(gè)很強(qiáng)的騷擾源,它來(lái)源于開(kāi)關(guān)器件的高頻通斷和輸出整流二極管反向恢復(fù)。很強(qiáng)的電磁騷擾信號(hào)通過(guò)空間輻射和電源線的傳導(dǎo)而干擾鄰近的敏感設(shè)備。除了功率開(kāi)關(guān)管和高頻整流二極管外,產(chǎn)生輻射干擾的主要元器件還有脈沖變壓器及濾波電感等。

雖然,功率開(kāi)關(guān)管的快速通斷給開(kāi)關(guān)電源帶來(lái)了更高的效益,但是,也帶來(lái)了更強(qiáng)的高頻輻射。要降低輻射干擾,可應(yīng)用電壓緩沖電路,如在開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)RCD緩沖電路,或電流緩沖電路,如在開(kāi)關(guān)管的集電極上串聯(lián)20~80μH的電感。電感在功率開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)能避免集電極電流突然增大,同時(shí)也可以減少整流電路中沖擊電流的影響。

功率開(kāi)關(guān)管的集電極是一個(gè)強(qiáng)干擾源,開(kāi)關(guān)管的散熱片應(yīng)接到開(kāi)關(guān)管的發(fā)射極上,以確保集電極與散熱片之間由于分布電容而產(chǎn)生的電流流入主電路中。為減少散熱片和機(jī)殼的分布電容,散熱片應(yīng)盡量遠(yuǎn)離機(jī)殼,如有條件的話,可采用有屏蔽措施的開(kāi)關(guān)管散熱片。

整流二極管應(yīng)采用恢復(fù)電荷小,且反向恢復(fù)時(shí)間短的,如肖特基管,最好是選用反向恢復(fù)呈軟特性的。另外在肖特基管兩端套磁珠和并聯(lián)RC吸收網(wǎng)絡(luò)均可減少干擾,電阻、電容的取值可為幾Ω和數(shù)千pF,電容引線應(yīng)盡可能短,以減少引線電感。實(shí)際使用中一般采用具有軟恢復(fù)特性的整流二極管,并在二極管兩端并接小電容來(lái)消除電路的寄生振蕩。

負(fù)載電流越大,續(xù)流結(jié)束時(shí)流經(jīng)整流二極管的電流也越大,二極管反向恢復(fù)的時(shí)間也越長(zhǎng),則尖峰電流的影響也越大。采用多個(gè)整流二極管并聯(lián)來(lái)分擔(dān)負(fù)載電流,可以降低短路尖峰電流的影響。

開(kāi)關(guān)電源必須屏蔽,采用模塊式全密封結(jié)構(gòu),建議用1mm以上厚度的鍍鋅鋼板,屏蔽層必須良好接地。在高頻脈沖變壓器初、次級(jí)之間加一屏蔽層并接地,可以抑制干擾的電場(chǎng)耦合。將高頻脈沖變壓器、輸出濾波電感等磁性元件加上屏蔽罩,可以將磁力線限制在磁阻小的屏蔽體內(nèi)。

根據(jù)以上設(shè)計(jì)思路,對(duì)輻射干擾超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)限值20dB左右的某開(kāi)關(guān)電源,采用了一些在實(shí)驗(yàn)室容易實(shí)現(xiàn)的措施,進(jìn)行了如下的改進(jìn):

在所有整流二極管兩端并470pF電容;

在開(kāi)關(guān)管G極的輸入端并50pF電容,與原有的39Ω電阻形成一RC低通濾波器;

在各輸出濾波電容(電解電容)上并一0.01μF電容;

在整流二極管管腳上套一小磁珠;

改善屏蔽體的接地。

經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)后,該電源就可以通過(guò)輻射干擾測(cè)試的限值要求。

4 結(jié)語(yǔ)

隨著電子產(chǎn)品的電磁兼容性日益受到重視,抑制開(kāi)關(guān)電源的EMI,提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量,使之符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范,已成為電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)者越來(lái)越關(guān)注的問(wèn)題。本文是在分析干擾產(chǎn)生機(jī)理、以及大量實(shí)踐的基礎(chǔ)上,提出了行之有效的抑制措施。


 

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。