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飛兆半導體Dual Cool? 封裝滿足 DC-DC設計對更高功率密度需求

新技術通過封裝頂部實現(xiàn)額外的功率耗散
2010-10-27

 

    隨著功率模塊、電信和服務器等DC-DC應用設備變得愈加空間緊湊,設計人員尋求更小的器件以應對其設計難題,而器件的熱性能是人們關注的考慮因素。

    為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool™封裝,Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件,可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。

    Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著減小從結(jié)點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時,可將功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆半導體專有的PowerTrench®工藝技術,能夠以較小的封裝尺寸實現(xiàn)更低的RDS(ON)和更高的負載電流。

     不同于其它采用頂部冷卻的解決方案,這些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封裝選項。Dual Cool封裝保持與行業(yè)標準PQFN相同的占位面積,可讓功率工程師快速驗證采用Dual Cool封裝的MOSFET器件,無需采用非標準封裝,即可獲得更佳的熱效率。

     目前采用Dual Cool封裝的器件包括FDMS2504SDCFDMS2506SDC、FDMS2508SDCFDMS2510SDC (5mm x 6mm)和FDMC7660DC (3.3mm x 3.3mm),這些器件是用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電信次級端整流和高端服務器/工作站應用的同步整流MOSFET的理想選擇。飛兆半導體Dual Cool 封裝MOSFET具有頂部冷卻和超低結(jié)溫(RthJA)特性,能夠提升熱效率。采用Dual Cool封裝的MOSFET器件可以使用或不使用散熱片。要了解有關Dual Cool封裝器件的更多信息,請訪問網(wǎng)頁: www.fairchildsemi.com/dualcool。

    Dual Cool封裝MOSFET是飛兆半導體行業(yè)領先的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,飛兆半導體通過了解空間受限應用對更高電流、更小占位面積DC-DC電源的需求,以及客戶和其服務的市場,量身定做具備獨特的功能、工藝和封裝創(chuàng)新組合的解決方案,在電子產(chǎn)品設計方面發(fā)揮重要的作用。

查看飛兆半導體Dual Cool封裝的其它信息,請訪問站:www.fairchildsemi.com/dualcool

價格(訂購1,000個):FDMS2504SDC 的單價為4.14美元

                     FDMS2506SDC 的單價為3.46美元

                     FDMS2508SDC 的單價為2.70美元

                     FDMS2510SDC 的單價為2.08美元

                     FDMC7660DC 的單價為1.38美元

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飛兆半導體公司簡介

    美國飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) -全球營運、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導體專為功率便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產(chǎn)品,并以我們在功率和信號路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術挑戰(zhàn)。查詢更多信息,請訪問網(wǎng)站:www.fairchildsemi.com。

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