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基于反激變換器的RCD吸收回路設計實例
維庫開發(fā)網(wǎng)
摘要: 在這部分展示一個實例,適配器采用FSDM311,工作規(guī)范AC85~265V的輸入電壓范圍。10W 輸出功率、5V輸出電壓、67kHz的開關頻率。此時,RCD吸收回路選擇1 nF吸收電容,480kΩ吸收電阻,圖1示出波形。
關鍵詞: RCD
Abstract:
Key words :

在這部分展示一個實例,適配器采用FSDM311,工作規(guī)范AC85~265V的輸入電壓范圍。10W 輸出功率、5V輸出電壓、67kHz的開關頻率。此時,RCD吸收回路選擇1 nF吸收電容,480kΩ吸收電阻,圖1示出波形。
漏電壓(Vds 200V/div)、電源電壓(VCC 5V/div)、反饋電壓(Vfb 1V/div)、漏電流(Id 0.2A/div)按下面次序,內部MOSFET最大電壓應為675V,數(shù)據(jù)表中給出為650V。超出此值有二個原因,其一是變壓器設計不當;其二是吸收回路設計不當,1 nF 電容和480k0電阻的穩(wěn)態(tài)波形如圖2 所示,給出比較正確的結果。
如上所述,為可靠性,穩(wěn)態(tài)時最大電壓應為MOSFET耐壓的80%,即520V。圖顯示為570V(AC 256V)。當然,VIN+nVo為(375V+15×5V)=450V,顯示變壓器匝數(shù)比為15,此是合理的值。因此,吸收回路應重新設計如下:

圖1 1nF電容和480kΩ電阻的起動波形
圖2 1nF電容和480kΩ電阻的穩(wěn)態(tài)波形
讓Vsm為nV0的兩倍,即150V。LIK1及Ipeak為150μH和400mA,于是求出:
電阻功耗計算如下:
最后,選擇Csn為10nF,Rsn為1.4kΩ/3 W。測試下來,MOSFET的電壓應力為J 593V(起動時)和
524V(穩(wěn)態(tài)),分別為所選FSDM311耐壓的91.2%和80.6%合格。10nF電容和14kΩ電阻的起動波形如圖3所示,穩(wěn)態(tài)波形如圖4所示。
圖3  10nF電容和14kΩ電阻的起動波形
圖410nF電容和14kΩ電阻的穩(wěn)態(tài)波形
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