全球領(lǐng)先的電源管理半導體解決方案" title="半導體解決方案">半導體解決方案供應商安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克" title="納斯達克">納斯達克上市代號：ONNN）推出采用先進硅技術(shù)的 PNP 與 NPN 器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低 Vce(sat) 雙極結(jié)" title="雙極結(jié)">雙極結(jié)晶體管 (BJT) 產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的 BJT 或平面 MOSFET相比，不僅實現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應用。?

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安森美半導體" title="安森美半導體">安森美半導體分立產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理 Mamoon Rashid 指出：“安森美半導體提供目前市場上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品，為電源控制提供了非常經(jīng)濟的解決方案。這種器件非常適用于移動電話和汽車等多種開關(guān)應用 (strategic switch)，為設計人員提供高性價比的解決方案，從而有助于他們推出領(lǐng)先的產(chǎn)品。”?

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安森美半導體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面貼裝器件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉(zhuǎn)換應用而設計。電流為1 A時，該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差，因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護，避免受損。由于實現(xiàn)了出色的電氣性能及較低的溫度系數(shù)，因此這種器件可提高能效，在無需額外 ESD 保護電路就能實現(xiàn)更好的電池節(jié)能。相對于 MOSFET而言，這種器件比較適中的開關(guān)速度降低了噪聲諧波，因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應用。? ?

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安森美半導體的低 Vce(sat) BJT 系列產(chǎn)品采用多種業(yè)界領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價為0.14～0.27美元。?

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關(guān)于安森美半導體（ON Semiconductor）?

安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡和強大的電源半導體器件系列，是電源、計算機、消費產(chǎn)品、便攜/無線、汽車和工業(yè)等市場應用的工程師、采購人員、分銷商、及電子代工制造商之首選電源方案供應商。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導體網(wǎng)站：http://www.onsemi.com.cn。?