??? 全球功率半導(dǎo)體" title="功率半導(dǎo)體">功率半導(dǎo)體和管理方案" title="管理方案">管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V同步降壓式轉(zhuǎn)換器DirectFET MOSFET芯片組，適用于負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，以及服務(wù)器、高端臺式和筆記本電腦應(yīng)用。

??? 新25V芯片組結(jié)合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特點(diǎn)包括：非常低的導(dǎo)通" title="導(dǎo)通">導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) ，以實(shí)現(xiàn)高效率和散熱性能，并可實(shí)現(xiàn)每相超過25A的工作。

??? IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6710S2控制MOSFET具備極低" title="極低">極低的柵極電阻 (Rg) 及電荷，而且當(dāng)與IRF6795M和IRF6797M這些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同設(shè)計(jì)時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，在整個(gè)負(fù)載范圍發(fā)揮卓越性能?！?/P>

??? IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ，可以大幅減低開關(guān)損耗，使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。

??? IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，可以顯著減少導(dǎo)通損耗，而集成的肖特基整流器可以降低二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，使這些新器件" title="新器件">新器件非常適合大電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面積，能輕易由原有SyncFET器件轉(zhuǎn)向使用新器件。

產(chǎn)品基本規(guī)格如下：

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詳細(xì)信息可以登錄IR 網(wǎng)站查詢：http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html。

新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS)，并已接受批量訂單。

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能運(yùn)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR成立于1947年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，亞洲網(wǎng)站：www.irf-asia.com ，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。