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IR推出為高頻和高效DC-DC應用優(yōu)化的25V DirectFET芯片組

2008-07-16
作者:國際整流器公司
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全球功率半導體" title="功率半導體">功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出25V同步降壓式轉換器DirectFET MOSFET芯片組,適用于負載點 (POL) 轉換器設計,以及服務器、高端臺式和筆記本電腦應用。?

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25V芯片組結合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術,在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設計中實現(xiàn)了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案。新的IRF6710S2、IRF6795MIRF6797M器件的特點包括:非常低的導通" title="導通">導通電阻 (RDS(on))、柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) ,以實現(xiàn)高效率和散熱性能,并可實現(xiàn)每相超過25A的工作。?

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IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6710S2控制MOSFET具備極低" title="極低">極低的柵極電阻 (Rg) 及電荷,而且當與IRF6795MIRF6797M這些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同設計時,能夠實現(xiàn)高頻、高效DC-DC轉換器解決方案,在整個負載范圍發(fā)揮卓越性能?!?/SPAN>?

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IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ,可以大幅減低開關損耗,使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。?

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IRF6795MIRF6797M擁有極低的RDS(on),可以顯著減少導通損耗,而集成的肖特基整流器可以降低二極管導通損耗和反向恢復損耗,使這些新器件" title="新器件">新器件非常適合大電流同步MOSFET電路。IRF6795MIRF6797M采用通用MX占位面積,能輕易由原有SyncFET器件轉向使用新器件。?

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產品基本規(guī)格如下:?

器件編號?

BVDSS?

(V)?

10V?

典型RDS(on) (mOhms)?

4.5V下典型RDS(on) (mOhms)?

VGS
(V)?

典型QG (nC)?

典型QGD (nC)?

外形代碼?

IRF6710S2?

25?

4.5?

9.0?

+/-20?

8.8?

3.0?

S1?

IRF6795M?

25?

1.1?

1.8?

+/-20?

45?

15?

MX?

IRF6797M?

25?

1.4?

2.4?

+/-20?

35?

10?

MX?

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詳細信息可以登錄IR 網站查詢:http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html?

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新器件符合電子產品有害物質限制規(guī)定 (RoHS),并已接受批量訂單。?

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IR簡介?

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國際整流器公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能運算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。?

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IR成立于1947年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR全球網站:www.irf.com,亞洲網站:www.irf-asia.com ,中國網站:www.irf.com.cn?

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