本文簡要介紹如何利用ST的二次側(cè)器件TSM家族降低充電器和電源適配器的無負(fù)載功耗,這個家族具有精確的電壓和電流調(diào)節(jié)功能,而且在無負(fù)載條件下可以使整個系統(tǒng)在無負(fù)載條件下將總功耗降到近100mW。
TSM101x家族產(chǎn)品集成了一個電壓基準(zhǔn)器件和兩個運算放大器,是高度集成的需要恒壓(CV)和恒流(CC)模式的開關(guān)電源解決方案。電壓基準(zhǔn)器件和一個運算放大器的集成使之成為理想的電壓控制器。另外一個運算放大器再與這個集成的電壓基準(zhǔn)器件和幾個外部電阻器配合,可以起到一個限流器的功能。
這些產(chǎn)品用于要求恒壓和輸出限流的充電器以及適配器,可以用于電壓參考精度在0.5%到1%之間的各類應(yīng)用。
在一個典型的充電器和適配器系統(tǒng)內(nèi),不同的因素都會在無負(fù)載條件下提高總功耗。但是,從廣度上說,總功耗可以分成二次側(cè)產(chǎn)生的功耗(Pout)和一次側(cè)產(chǎn)生的功耗(Pin)。
二次側(cè)功耗
本文著重介紹如何降低二次側(cè)功耗,所以,我們從思考開關(guān)電源應(yīng)用二次側(cè)的典型電路圖開始介紹,見下圖1。
恒流-恒壓標(biāo)準(zhǔn)器件是一個集成了兩個運算放大器的單片集成電路。在這兩個運算放大器中,一個是獨立的器件,而另一個的非
逆變輸入與一個2.5V固定電壓基準(zhǔn)電路相連。ST的TSM103W是這種二次側(cè)器件的一個典型應(yīng)用。
恒流-恒壓器件通常是并聯(lián)電路,這意味著內(nèi)部電流發(fā)生器需要一個外電源,以極化并將基準(zhǔn)電壓固定在2.5V (Vref = 2.5V)。
如果我們假定Vout連接一個沒電的電池,我們將會看到圖2的輸出電壓-電流特性曲線。
從圖2中我們不難看出,負(fù)載采用逐漸充電方式,先提高電流,然后再提高電壓,以便壓降達(dá)到最小值。這種逐漸充電的方法確保電流得到限制,實現(xiàn)穩(wěn)定的電流。此后,電壓開始上升(同時電流保持恒定),直到恒定的電壓值為止。
在一個典型的適配器應(yīng)用中,最大輸出電壓20V(無負(fù)載條件下),最小輸出電壓5V(維持恒流的最小電壓值)。
為了維持Vout_min = 5V, Vcc_min = 5V,給Vref加偏壓所需的最小電流值1mA,這表示:
因此,為了維持Vout_min = 5V,我們必須將基準(zhǔn)電阻固定在Rref = 2.5k健
既然我們固定了基準(zhǔn)電阻Rref,我們就應(yīng)該考慮Vout_max = 20V的無負(fù)載條件。根據(jù)下面的公式:
二次側(cè)的總功耗通過下面的公式計算:Pout = Vout Vtot
其中Itot = Icc + Iref + Iopto
而且,驅(qū)動一個光耦合器所需的電流Iopto 通常為1.5mA。
這說明對于一個Vout = 20V, Iref = 7mA, Icc = 1.5mA,Iopto = 1.5mA的無負(fù)載典型系統(tǒng),二次側(cè)功耗(Pout)等于:
Pout = (Vout Vtot) = (Vtot (Iref + Icc + Iopto)) = (20V (7mA + 1.5mA + 1.5mA)) = (20V 10mA) =200mW
一次側(cè)功耗
現(xiàn)在我們將注意力轉(zhuǎn)向一個典型適配器應(yīng)用的一次側(cè),一個開關(guān)電源的一次側(cè)由若干個功能塊(例如:功率因數(shù)校正和脈寬調(diào)制)構(gòu)成,每個集成塊都會提高器件的總功耗。但是,因一次側(cè)功能塊引起的總功耗在無負(fù)載條件下通常假定為80mW左右(因為充電器和適配器的功率范圍在5W之內(nèi))。
額定功效 是有關(guān)一次側(cè)總體功耗的關(guān)鍵系數(shù),最高的額定功效大約50%。這就是說,將1mW的功率傳輸?shù)蕉蝹?cè),在一次側(cè)需要2mW的功率。
回到我們上面的方程式計算中,在無負(fù)載條件下,如果我們在二次側(cè)需要200mW的功率,就必須在一次側(cè)產(chǎn)生400mW的功率,而且還需要80mW的電流驅(qū)動脈寬調(diào)制控制器。
這個關(guān)系式表明,如果在二次側(cè)降低無負(fù)載功耗,那么,一次側(cè)將獲得兩倍的好處。
優(yōu)化系統(tǒng)
通常情況下,當(dāng)一個人設(shè)計充電器或適配器應(yīng)用時,這個應(yīng)用的無負(fù)載功耗目標(biāo)就已經(jīng)確定了。具體目標(biāo)可能是500mW或300mW,但是,直到今天,無負(fù)載總功耗達(dá)到100mW似乎仍然是可望而不可及。
在本節(jié)我們將看到三個實例系統(tǒng):
(a) 一個典型的二次配置,如圖1所示;這個系統(tǒng)采用一個通用二次集成電路,如ST的TSM103。
(b) 一個先進的二次側(cè)電路圖(見圖3),這個結(jié)構(gòu)采用一個集成電路,如ST內(nèi)置自極化電壓基準(zhǔn)器件的TSM1011。這個自極化電壓基準(zhǔn)器件的集成取代了電阻器Rref,,從而消除了基準(zhǔn)電流Iref。
(c) 一個先進的二次側(cè)電路圖(見圖3),這個結(jié)構(gòu)采用一個極其先進的集成電路 ST的 TSM1012,在無負(fù)載條件下,這個電路消耗電流僅150礎(chǔ) 。
除考慮典型的二次側(cè)結(jié)構(gòu)(圖1)和先進的二次側(cè)結(jié)構(gòu)(圖3)外,現(xiàn)在市場上還有三種只需0.5mA的光耦合器。我們將會看到,使用這種光耦合器也能將功耗降到很低。
下表列出了上面討論的三個系統(tǒng)中的每個系統(tǒng)的參數(shù):
從上表對比中我們不難看出,采用一個小功耗光耦合器配合TSM1012的系統(tǒng),與一個典型的恒壓恒流二次側(cè)對比,前者的功耗經(jīng)濟性接近80%。最重要的是,采用這個先進的系統(tǒng),無負(fù)載功耗能夠降低到近100mW。
不過,我還看出僅提高光耦合器的性能,而繼續(xù)沿用一個標(biāo)準(zhǔn)二次側(cè)器件 (如TSM103) 并沒有大幅度改進總功耗。