《電子技術(shù)應(yīng)用》
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恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

專為高功率用途與Doherty應(yīng)用而優(yōu)化
2008-05-16
作者:恩智浦半導(dǎo)體

恩智浦" title="恩智浦">恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductor,由飛利浦" title="飛利浦">飛利浦成立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司" title="半導(dǎo)體公司">半導(dǎo)體公司)今天推出BLC7G22L(S)-130基站功率晶體管,這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)的首款產(chǎn)品,專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案,與上一代產(chǎn)品相比,功率密度" title="功率密度">功率密度提高了20%,功率效率增長(zhǎng)了兩個(gè)百分點(diǎn),而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國(guó)喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。?

恩智浦RF功率產(chǎn)品線市場(chǎng)部門(mén)經(jīng)理Mark Murphy表示:“隨著移動(dòng)電信運(yùn)營(yíng)商開(kāi)始提供基于HSDPA和LTE等技術(shù)的超高速服務(wù),無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的功率需求也已達(dá)到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術(shù),推出業(yè)界性能最高的LDMOS基站晶體管,其功率增加效率遠(yuǎn)高于目前市場(chǎng)上的任何產(chǎn)品。”? ?

第七代LDMOS的性能創(chuàng)下新的紀(jì)錄,達(dá)到3.8GHz,且輸出電容減少25%,可實(shí)現(xiàn)寬頻輸出匹配,從而設(shè)計(jì)出更加簡(jiǎn)單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經(jīng)成為新型基站發(fā)射器的首選放大器架構(gòu),幫助無(wú)線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商提高效率并降低成本。?

ABI Research射頻(RF)元件與系統(tǒng)研究總監(jiān)Lance Wilson表示:“隨著數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型服務(wù)逐漸成為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的更重要的組成部分,一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù),憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進(jìn)步,理當(dāng)成為公司進(jìn)入相關(guān)應(yīng)用頂級(jí)設(shè)備市場(chǎng)時(shí)的重要資產(chǎn)?!?

供貨

恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號(hào)在MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)的第523號(hào)展位進(jìn)行展示。BLC7G22L(S)-130的工程樣片將于2008年第三季度問(wèn)世?;诙髦瞧值谄叽鶯DMOS技術(shù)的其他產(chǎn)品將于2009年推出。?

有關(guān)恩智浦第七代LDMOS技術(shù)的其他信息,請(qǐng)參考恩智浦半導(dǎo)體" title="恩智浦半導(dǎo)體">恩智浦半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品目錄,網(wǎng)址為 http://www.rfpower.nl/cdrom。?

關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體(NXP

恩智浦是飛利浦在50多年前創(chuàng)立的全球十強(qiáng)半導(dǎo)體公司。公司總部位于歐洲,在全球超過(guò)20個(gè)國(guó)家擁有37,000名雇員,2007年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)到63億美元。恩智浦提供半導(dǎo)體、系統(tǒng)解決方案和軟件,為手機(jī)、個(gè)人媒體播放器、電視、機(jī)頂盒、智能識(shí)別應(yīng)用、汽車以及其它廣泛的電子設(shè)備提供更好的感知體驗(yàn)。關(guān)于恩智浦的新聞?wù)堃?jiàn)www.nxp.com。
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