《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay 推出業(yè)界最薄的新型 20V P 通道 TrenchFET 功率 MOSFET,厚度僅為 0.59mm

采用芯片級封裝的新款MOSFET器件將最小的占位空間與最佳的導(dǎo)通電阻性能進行了完美的結(jié)合
2008-04-09
作者:Vishay Intertech

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日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)推出了旨在滿足對便攜式設(shè)備" title="便攜式設(shè)備">便攜式設(shè)備中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET 功率 MOSFET,該器件采用 MICRO FOOT 芯片級封裝,具有此類器件中業(yè)界最薄" title="最薄">最薄厚度及最低導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻">導(dǎo)通電阻。 ?

Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度,以及 1.5mm×1mm 的占位面積,這也是在 1.2V 額定電壓" title="額定電壓">額定電壓時提供導(dǎo)通電阻的首款此類器件。該器件的典型應(yīng)用包括手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)及電池保護。?

Si8441DB 提供了 1.2V VGS 0.600? 4.5V VGS 0.080?的導(dǎo)通電阻范圍,且具有最高 ±5V 的柵源電壓。其在 1.2V 額定電壓時出色的低導(dǎo)通電阻性能降低了對電平位移電路的需求,從而節(jié)約了便攜式電子" title="便攜式電子">便攜式電子設(shè)計中的空間。?

Vishay同時還推出了采用相同 MICRO FOOT 芯片級封裝的另一新款 MOSFET 功率器件--- 20V p 通道 Si8451DBSi8451DB 的最高額定柵源電源為 8V,其導(dǎo)通電阻范圍介于 1.5V 0.200Ω 至 4.5V 0.80Ω,這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實現(xiàn)的最佳值。?

隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加,電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對電池充電間隔間的電池運行時間的期望,設(shè)計人員需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封裝這恰恰是Vishay Si8441DB Si8451DB 所具有的特點。?

目前,上述兩款新型 MICRO FOOT 芯片級封裝功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 1012 周。 ?

VISHAY簡介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的財富 1,000 強企業(yè),是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。?

有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,可以訪問 Internet 網(wǎng)站 http://www.vishay.com。?

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