2月1日消息，這是Intel ZAM內(nèi)存首次公開展示！

據(jù)上周報道，Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達成深度合作，聯(lián)合開發(fā)名為ZAM（Z-angle memory，Z角內(nèi)存）的下一代內(nèi)存新技術(shù)，其單芯片最高容量可達512GB，功耗較當(dāng)前主流的HBM內(nèi)存降低40%至50%，意在打破HBM的壟斷地位。

原本以為還很遙遠，沒想到Intel如此之快就向全球展示了其原型產(chǎn)品。據(jù)日本媒體PCWatch報道，在Intel Connection Japan 2026活動上，Intel首次公開展示 ZAM（Z角內(nèi)存）內(nèi)存技術(shù)原型。

Intel院士兼政府技術(shù)首席技術(shù)官Joshua Fryman和Intel日本首席執(zhí)行官Makoto Onho出席了此次活動。

此次活動主要關(guān)注ZAM如何幫助現(xiàn)有解決方案緩解性能和散熱方面的瓶頸。這也是該技術(shù)首次走出研究論文與新聞稿，以原型形式面向市場。

ZAM技術(shù)的核心突破在于架構(gòu)設(shè)計，其摒棄了傳統(tǒng)內(nèi)存的垂直布線模式，采用交錯互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實現(xiàn)芯片堆疊內(nèi)部的對角線 “Z 字形” 布線，搭配銅 - 銅混合鍵合技術(shù)讓芯片層間高效融合。

同時結(jié)合無電容設(shè)計與Intel成熟的EMIB互連技術(shù)，既實現(xiàn)了與AI芯片的高速連接，又大幅降低芯片熱阻，散熱性能成為其核心優(yōu)勢。

相較于目前AI領(lǐng)域主流的 HBM 內(nèi)存，ZAM的產(chǎn)品優(yōu)勢十分突出：單芯片最高容量可達 512GB，功耗較HBM降低40%-50%，能精準(zhǔn)解決AI數(shù)據(jù)中心能耗高企的行業(yè)痛點，而Z形互連設(shè)計還進一步簡化了制造工藝流程，為后續(xù)規(guī)?；慨a(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

據(jù)活動公布的信息，Intel 在ZAM項目中將負(fù)責(zé)初始投資與戰(zhàn)略決策，雙方清晰的分工讓這項技術(shù)的落地路徑更為明確。

事實上，Intel 早年間曾是DRAM市場的重要參與者，1985年受日本廠商競爭沖擊退出該賽道。

如今全球 AI 大模型訓(xùn)練、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運算推動算力需求指數(shù)級攀升，DRAM 供應(yīng)鏈瓶頸凸顯，HBM內(nèi)存的壟斷格局也帶來了成本與產(chǎn)能問題，這為Intel的回歸提供了重要機遇。依托在先進封裝、芯片堆疊領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，Intel試圖以ZAM技術(shù)搶占AI內(nèi)存市場先機。

不過，ZAM技術(shù)要實現(xiàn)市場突圍仍面臨關(guān)鍵考驗，其最終能否打破現(xiàn)有市場格局，核心在于能否獲得 NVIDIA 等 AI 行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的采納，以及后續(xù)能否順利完成量產(chǎn)落地與生態(tài)建設(shè)