2月1日消息，這是Intel ZAM內(nèi)存首次公開展示！
據(jù)上周報(bào)道，Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達(dá)成深度合作，聯(lián)合開發(fā)名為ZAM（Z-angle memory，Z角內(nèi)存）的下一代內(nèi)存新技術(shù)，其單芯片最高容量可達(dá)512GB，功耗較當(dāng)前主流的HBM內(nèi)存降低40%至50%，意在打破HBM的壟斷地位。
原本以為還很遙遠(yuǎn)，沒想到Intel如此之快就向全球展示了其原型產(chǎn)品。據(jù)日本媒體PCWatch報(bào)道，在Intel Connection Japan 2026活動(dòng)上，Intel首次公開展示 ZAM（Z角內(nèi)存）內(nèi)存技術(shù)原型。
Intel院士兼政府技術(shù)首席技術(shù)官Joshua Fryman和Intel日本首席執(zhí)行官M(fèi)akoto Onho出席了此次活動(dòng)。
此次活動(dòng)主要關(guān)注ZAM如何幫助現(xiàn)有解決方案緩解性能和散熱方面的瓶頸。這也是該技術(shù)首次走出研究論文與新聞稿，以原型形式面向市場(chǎng)。
ZAM技術(shù)的核心突破在于架構(gòu)設(shè)計(jì)，其摒棄了傳統(tǒng)內(nèi)存的垂直布線模式，采用交錯(cuò)互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊內(nèi)部的對(duì)角線 “Z 字形” 布線，搭配銅 - 銅混合鍵合技術(shù)讓芯片層間高效融合。
同時(shí)結(jié)合無電容設(shè)計(jì)與Intel成熟的EMIB互連技術(shù)，既實(shí)現(xiàn)了與AI芯片的高速連接，又大幅降低芯片熱阻，散熱性能成為其核心優(yōu)勢(shì)。
相較于目前AI領(lǐng)域主流的 HBM 內(nèi)存，ZAM的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)十分突出：?jiǎn)涡酒罡呷萘靠蛇_(dá) 512GB，功耗較HBM降低40%-50%，能精準(zhǔn)解決AI數(shù)據(jù)中心能耗高企的行業(yè)痛點(diǎn)，而Z形互連設(shè)計(jì)還進(jìn)一步簡(jiǎn)化了制造工藝流程，為后續(xù)規(guī)?；慨a(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
據(jù)活動(dòng)公布的信息，Intel 在ZAM項(xiàng)目中將負(fù)責(zé)初始投資與戰(zhàn)略決策，雙方清晰的分工讓這項(xiàng)技術(shù)的落地路徑更為明確。
事實(shí)上，Intel 早年間曾是DRAM市場(chǎng)的重要參與者，1985年受日本廠商競(jìng)爭(zhēng)沖擊退出該賽道。
如今全球 AI 大模型訓(xùn)練、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)算推動(dòng)算力需求指數(shù)級(jí)攀升，DRAM 供應(yīng)鏈瓶頸凸顯，HBM內(nèi)存的壟斷格局也帶來了成本與產(chǎn)能問題，這為Intel的回歸提供了重要機(jī)遇。依托在先進(jìn)封裝、芯片堆疊領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，Intel試圖以ZAM技術(shù)搶占AI內(nèi)存市場(chǎng)先機(jī)。
不過，ZAM技術(shù)要實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)突圍仍面臨關(guān)鍵考驗(yàn)，其最終能否打破現(xiàn)有市場(chǎng)格局，核心在于能否獲得 NVIDIA 等 AI 行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的采納，以及后續(xù)能否順利完成量產(chǎn)落地與生態(tài)建設(shè)
