中文引用格式： 李澤眾，馮榮尉，萬畢樂. 直流微電流標準源的研究進展[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2026，52(1)：8-13.
英文引用格式： Li Zezhong，F(xiàn)eng Rongwei，Wan Bile. Research progress of direct current micro-current standard sources[J]. Application of Electronic Technique，2026，52(1)：8-13.
引言
一般定義小于10-6 A的電流為微電流的范疇[1]。直流微電流的測量，在國防工業(yè)、生物技術(shù)、航天、半導(dǎo)體等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
在空間探測中，航天器內(nèi)帶電效應(yīng)，主要由能量范圍0.1 MeV到10 MeV的高能電子引起，其在內(nèi)部電介質(zhì)的電荷沉積率高于泄放率，就會發(fā)生電荷沉積，累積到一定程度有可能產(chǎn)生放電，影響航天器的安全運行[2]。統(tǒng)計表明，內(nèi)帶電效應(yīng)引起的航天器在軌異常占到了所有放電引起異?？倲?shù)的50%，同時占到了所有空間環(huán)境造成航天器異常的25%。測量航天器內(nèi)部介質(zhì)的充電電流一方面可以感知航天器內(nèi)部電介質(zhì)的充電情況，另一方面也可以定性或定量地給出引起內(nèi)帶電效應(yīng)的外部高能電子輻射環(huán)境的變化。
在半導(dǎo)體測試中，隨著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性和功能日益增加，對微電流的精確測量需求也日益增長。半導(dǎo)體器件在設(shè)計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)中，都需要用到直流微電流源表技術(shù)。芯片測試技術(shù)及設(shè)備研發(fā)作為半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵技術(shù)，如何高效、準確地完成芯片性能測試，是眾多廠商在量產(chǎn)測試中需要解決的難題。
根據(jù)《國防技術(shù)監(jiān)督管理條例》的規(guī)定，在國防工業(yè)研究生產(chǎn)中使用的儀器，都需要定期檢定[3]。此外，在半導(dǎo)體測試中，半導(dǎo)體器件的電流測量通常需要很高的精度，微電流標準源能夠提供精確的微安級甚至更小的電流，以此來校準電流表等測量工具。為了對直流微電流的測量裝置和儀器進行定期檢定，直流微電流標準源成為重要的課題。
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作者信息：
李澤眾，馮榮尉，萬畢樂
（北京東方計量測試研究所，北京 100094）
