1 月 7 日消息，據(jù)澎湃新聞報道，原集微科技的首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線點亮儀式于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功舉行，這也是國內(nèi)首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線，預(yù)計將于今年 6 月正式通線。

查詢公開資料獲悉，原集微由集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員及博士生導(dǎo)師包文中于 2025 年 2 月創(chuàng)辦，宣稱是國內(nèi)首家聚焦于超越摩爾與非硅基異質(zhì)集成技術(shù)的二維半導(dǎo)體企業(yè)。

2025 年 4 月，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室周鵬、包文中聯(lián)合團隊成功研制出全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的 32 位 RISC-V 架構(gòu)微處理器“無極”，完全不依賴先進的 EUV 光刻機，相關(guān)成果發(fā)表于《自然》期刊。

包文中表示，公司計劃在 2026 年 6 月實現(xiàn)這條工藝線的正式通線。今年實現(xiàn)等效硅基 90 納米的 CMOS 制程后，將于 2027 年實現(xiàn)等效硅基 28 納米工藝，2028 年實現(xiàn)等效硅基 5 納米甚至 3 納米工藝；最終在 2029 年或 2030 年，實現(xiàn)和國際先進制程的同步。

包文中還稱：“雖然目前二維芯片的規(guī)模僅相當于幾十年前的英特爾 8080 芯片，但一旦進入產(chǎn)業(yè)化路徑，其發(fā)展速度將遠超硅基摩爾定律。二維芯片的制造工藝與硅基高度兼容，可以站在硅半導(dǎo)體的肩膀上實現(xiàn)跨越式發(fā)展。”

周鵬表示：“我們現(xiàn)在用二維半導(dǎo)體微米級工藝，已經(jīng)實現(xiàn)了硅基納米級芯片的功耗表現(xiàn)。未來如果通過產(chǎn)業(yè)化方式制造，二維芯片將具備更快的速度和更低的功耗，這將為人工智能的廣泛應(yīng)用提供強大支持，尤其是在移動端低功耗算力需求的場景，例如無人機和機器人等領(lǐng)域?！?/p>