10月3日消息，據(jù)俄羅斯媒體CNews報道，俄羅斯政府已撥款超過 2400 億盧布（25.4 億美元）支持國產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、工具及原材料研發(fā)，目標(biāo)是到 2030 年實(shí)現(xiàn)對外國半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料的70%的替代。

報道稱，該計劃涉及啟動了 110 個研發(fā) （R?&D） 項(xiàng)目，以減少對進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備的依賴，并最終實(shí)現(xiàn) 28nm 級制程工藝芯片的國產(chǎn)化。但是相對于龐大且復(fù)雜的半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料產(chǎn)業(yè)鏈來說，25.4 億美元資金投入顯然是不夠的。

目前俄羅斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能夠生產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝依然停留在65nm或90nm等成熟節(jié)點(diǎn)，并且大量依賴于國外的半導(dǎo)體制造設(shè)備，尤其是光刻設(shè)備。據(jù)統(tǒng)計，在俄羅斯用于芯片的 400 種設(shè)備中，目前只有 12% 可以在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。

自2022年2月俄烏沖突爆發(fā)后，美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導(dǎo)體的出口管制，這些措施不僅使俄羅斯進(jìn)口相關(guān)芯片變得困難，同時相關(guān)半導(dǎo)體制造設(shè)備的進(jìn)口更是難上加難。報道稱，這些限制措施使得俄羅斯關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備獲取成本提升了 40% – 50%，因?yàn)楸仨毻ㄟ^走私途徑才能進(jìn)入到俄羅斯。

因此，為了降低成本并減少對于國外半導(dǎo)體制造設(shè)備的的依賴，俄羅斯工業(yè)部 （Minpromtorg） 和貿(mào)易部以及 MIET（一家政府控制的公司）制定了一項(xiàng)計劃，重點(diǎn)是為微電子生產(chǎn)所需的大約 70% 的設(shè)備和原材料開發(fā)國內(nèi)替代品。

據(jù)了解，該計劃涵蓋了芯片制造的各個方面，包括實(shí)際制造所需的設(shè)備、原材料和電子設(shè)計自動化 （EDA） 工具等。該項(xiàng)目將開發(fā)“20 條不同的技術(shù)路線”，例如從 180nm 到 28nm 的微電子學(xué)、微波電子學(xué)、光子學(xué)和電力電子學(xué)。一些開發(fā)的技術(shù)也將用于光掩模生產(chǎn)和電子模塊組裝。

雖然該計劃的戰(zhàn)略目標(biāo)看起來很明確（到 2030 年以 25.4 億美元的價格實(shí)現(xiàn) 70% 的芯片制造設(shè)備和原材料的國產(chǎn)化），但具體的細(xì)節(jié)卻相當(dāng)模糊。

預(yù)計到 2026年底，將會是一個重要里程碑之一，即完成用于 350nm 和 130nm 工藝技術(shù)的光刻設(shè)備和用于 150nm 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的電子束光刻設(shè)備的開發(fā)。此外，俄羅斯還計劃在幾年內(nèi)通過化學(xué)氣相沉積設(shè)備發(fā)展其外延工藝。同時，俄羅斯工業(yè)部希望到 2026 年底，俄羅斯國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)能夠自主生產(chǎn)硅錠并將其切割成硅晶圓。

更遠(yuǎn)期的目標(biāo)是，到2030年，俄羅斯能夠自主生產(chǎn)65nm或90nm制程晶圓的國產(chǎn)光刻系統(tǒng)，這將顯著提高該國生產(chǎn)微電子產(chǎn)品的能力，但仍將落后于目前全球行業(yè)領(lǐng)先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024會議期間，俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿(mào)易部副部長瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告訴塔斯社記者稱，俄羅斯首臺國產(chǎn)光刻機(jī)已經(jīng)制造完成，并正在澤列諾格勒進(jìn)行測試，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。