節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計

　　美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年3月14日 —日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET^? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR^? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

　　日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設(shè)計人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級，適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、焊接設(shè)備和電動工具。這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時4.5 V下邏輯電平導(dǎo)通簡化電路驅(qū)動。

　　為提高功率密度，該MOSFET 在4.5 V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至18.5 mW，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16 %。SiZF4800LDT低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 131mW*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

　　器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導(dǎo)通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達(dá)36 A，比接近的競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過100% Rg和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

　　SiZF4800LDT現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為26周。

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