臺(tái)積電" target="_blank">臺(tái)積電攜手工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，成功研發(fā)出“自旋軌道力矩式磁性內(nèi)存”（SOT-MRAM），搭載創(chuàng)新運(yùn)算架構(gòu)，功耗僅為類似技術(shù) STT-MRAM 的百分之一，成為臺(tái)積電搶占 AI、高性能運(yùn)算（HPC）市場(chǎng)的新“殺手锏”。

業(yè)內(nèi)人士指出，伴隨著 AI、5G 時(shí)代來(lái)臨，自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等場(chǎng)景應(yīng)用，都需要更快、更穩(wěn)、功耗更低的新一代內(nèi)存。

磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）是一種非易失性內(nèi)存技術(shù)，采用硬盤中常見(jiàn)的精致磁性材料，能滿足新一代內(nèi)存需求，吸引三星、英特爾、臺(tái)積電等大廠投入研發(fā)。

臺(tái)積電目前已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出 22 納米、16/12 納米工藝的 MRAM 產(chǎn)品線，并手握大量?jī)?nèi)存、車用市場(chǎng)訂單，而本次臺(tái)積電乘勝追擊，再次推出 SOT-MRAM，會(huì)進(jìn)一步鞏固其市場(chǎng)地位。

臺(tái)積電表示新款 SOT-MRAM 內(nèi)存搭載創(chuàng)新運(yùn)算架構(gòu)，功耗僅為 STT-MRAM 的 1%，相關(guān)研發(fā)成果領(lǐng)先國(guó)際，并在全球微電子元件領(lǐng)域頂尖會(huì)議國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上共同發(fā)表論文。

編者注：STT-MRAM 是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器 MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM 存儲(chǔ)單元的核心仍然是一個(gè) MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個(gè)納米厚的非磁性隔離層組成，它是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的。