2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
新推出的 STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效，相關參數(shù)十分出色，例如，飽和電壓 Vce(sat)很低，確保器件在導通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低，關斷電能得到優(yōu)化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關準諧振轉換器具有更高的能效。
新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應用中，意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。
此外， Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)效應，器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡化設計，并輕松并聯(lián)多個 IGBT管，以滿足高功率應用需求。
該系列先期推出的兩款器件 25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現(xiàn)已量產，采用標準 TO-247 長引線功率封裝。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。