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采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC?溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

2023-07-04
來源:英飛凌

  2023 年 7 月 3 日,德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠實現(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應用的系統(tǒng)成本。

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  相比第一代產品,1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%,具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓(VGS(th))大于4V且Crss/Ciss比率極低,因此在VGS=0 V時可實現(xiàn)可靠的關斷,而且沒有寄生導通的風險。這使得單極驅動成為可能,從而降低了系統(tǒng)成本和復雜性。另外,新一代產品具有低導通電阻(RDS(on)),減少了-55℃至175℃溫度范圍內的傳導損耗。

  先進的擴散焊接芯片貼裝工藝(。XT技術)顯著改善了封裝的熱性能,相比第一代產品,SiC MOSFET的結溫降低了25%。

  此外,這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm,符合800 V系統(tǒng)要求并減少了涂覆工作量。為滿足不同應用的需求,英飛凌提供一系列RDS(on)選項,包括目前市場上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ型。

  KOSTAL在其OBC平臺中使用CoolSiC MOSFET

  KOSTAL Automobil Elektrik在其為中國OEM廠商提供的新一代OBC平臺中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球領先的汽車充電器系統(tǒng)供應商,通過其標準化平臺方案為全球提供安全、可靠和高效的產品,可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。

  英飛凌科技車規(guī)級高壓芯片和分立器件產品線副總裁Robert Hermann表示:“低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn),讓我們更有動力與客戶一起推動汽車的電氣化進程。因此,我們十分高興能夠與KOSTAL合作。這個項目突出了我們的標準產品組合在采用先進SiC技術的車載充電器市場中的強大地位?!?/p>

  KOSTAL ASIA副總裁兼技術執(zhí)行經理Shen Jianyu表示:“英飛凌的新型1200V CoolSiC溝槽式MOSFET額定電壓高、魯棒性優(yōu)異,是我們未來一代OBC平臺的關鍵部件。這些優(yōu)勢有助于我們創(chuàng)造一個兼容的設計,以管理我們最先進的技術解決方案,實現(xiàn)優(yōu)化成本和大規(guī)模的市場交付?!?/p>

  供貨情況

  采用TO263-7封裝的1200V CoolSiC? MOSFET現(xiàn)已上市。



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