Transphorm將在APEC2023會議上展出該產(chǎn)品（展位#853）。

　　加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. （Nasdaq: TGAN）與偉詮電子 （Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436）今天宣布雙方合作推出首款系統(tǒng)級封裝（SiP）的氮化鎵電源控制芯片。

　　偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一，新推出的WT7162RHUG24A電源轉(zhuǎn)換器控制芯片，設(shè)計用于為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設(shè)備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。該器件的樣品將在2023年第二季度推出。

　　位于臺灣地區(qū)新竹科學(xué)園區(qū)的偉詮電子是一家領(lǐng)先的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，專門從事混合信號/數(shù)字IC產(chǎn)品的規(guī)劃、設(shè)計、測試、應(yīng)用開發(fā)和分銷，產(chǎn)品用于電源、電機控制、圖像處理等多個應(yīng)用領(lǐng)域。向市場推出該SiP新品，標(biāo)志偉詮電子取得一項重大成就，新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對AC-DC電源市場的承諾——使用Transphorm的SuperGaN?技術(shù)提供完整的系統(tǒng)級解決方案。

　　該新產(chǎn)品上市，也再一次證明Transphorm氮化鎵器件的接口簡易性和卓越性能。Transphorm將在2023年應(yīng)用電力電子會議（APEC）上首次展示這款偉詮電子的SiP（展位號為853）。兩家公司還將在會議期間發(fā)布有關(guān)WTDB_008 65W USB PD電源適配器評估板的詳細(xì)信息。

　　偉詮電子總經(jīng)理林崇燾（Tony Lin）表示：“WT7162RHUG24A是業(yè)界首款公開發(fā)布的采用Transphorm GaN的SiP。能幫助制造商開發(fā)出成本更低的系統(tǒng)解決方案，因為此解決方案需要的器件更少，使用更小的PCB，還能減少系統(tǒng)開發(fā)時間。諸多優(yōu)勢可以高效地幫助適配器制造商消除設(shè)計障礙。值得注意的是，憑借此新產(chǎn)品，偉詮電子可以進入一個新的市場。這是我們的PWM控制器有史以來的首個SiP，證明了偉詮電子對支持大批量增長領(lǐng)域的承諾。而且，通過與GaN FET的集成提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。”

　　Transphorm總裁兼首席運營官Primit Parikh表示：“適配器快充市場是目前氮化鎵應(yīng)用的一個快速增長領(lǐng)域。我們正在擴大市場份額，并繼續(xù)創(chuàng)新。最近推出的這款GaN SiP，使Transphorm的GaN器件更易使用。我們很高興能將業(yè)界領(lǐng)先的SuperGaN平臺與偉詮電子的創(chuàng)新型適配器電源控制器技術(shù)結(jié)合起來。偉詮電子提供了一個領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換平臺，可以為適配器/快速充電器客戶打造一個簡單易用的解決方案，雙方可以利用這個平臺加速贏得這個市場?！?/p>

　　WT7162RHUG24A的規(guī)格和特點

　　新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN?FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝，可減少印刷電路板尺寸。其它主要規(guī)格包括：

　　·峰值功率效率：> 93%

　　·功率密度：26 W/in³

　　·寬輸出電壓操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

　　·最大頻率：180kHz

　　·目標(biāo)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：QR反激模式/谷值開關(guān)多模操作

　　主要特點包括：

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