路上隨處可見的電動汽車、工廠里精密的機械手、草原上永不停歇的風力發(fā)電機…電力進一步成為我們生活必不可缺的重要能源，這些加速能量轉(zhuǎn)換的幕后英雄正是我們熟知的第三代半導體——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），二者憑借著優(yōu)異的物理性能，逐步搶占傳統(tǒng)的硅器件所統(tǒng)治的市場。預(yù)計到2026年，二者將會形成每年200億美元的市場份額。
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。對于GaNFast?，相信大家已經(jīng)耳熟能詳，那么今天我們就來為大家隆重介紹，GeneSiC這位不容小覷的“實力派”。
市場與技術(shù)
GeneSiC碳化硅（SiC）MOSFET（金屬 – 氧化物半導體場效應(yīng)管）和肖特基MPS?二極管器件耐壓從650 V到6.5 kV，適合從20 W到20 MW的應(yīng)用場合，為多元市場（包括電動車、工業(yè)自動化、網(wǎng)通、電網(wǎng)、電動機和國防）提供高速、高效的功率轉(zhuǎn)換。大批量、高質(zhì)量的出貨，確保應(yīng)用效能、應(yīng)用可靠性，最大程度保證正常運行時間。
溝槽輔助平面柵極：平面和溝槽優(yōu)勢互補，可靠性和可制性兼具
與硅（Si）MOSFET相比，SiC MOSFET的導電性能和開關(guān)性能均更加優(yōu)越，這要歸功于其‘寬禁帶’特性和高電場強度。然而，使用傳統(tǒng)平面或溝槽技術(shù)必須在可制造性、性能和/或可靠性之間做出妥協(xié)。
GeneSiC的專利溝槽輔助平面柵極設(shè)計是一種無需妥協(xié)的新一代解決方案，不僅制造產(chǎn)量高、適合快速開關(guān)同時功耗低，而且長期可靠性高。
高壓領(lǐng)域開拓者
GeneSiC能提供先進可靠的高壓、高效SiC MOSFET，這對于苛刻環(huán)境、大功率應(yīng)用場合的可靠性極為關(guān)鍵
· 獨有、先進的集成6.5 kV技術(shù)
? 雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管（DMOSFET）
? 單片集成結(jié)勢壘肖特基二極管（JBS）整流器
? 更優(yōu)秀的大功率性能
· 更高效的雙向性能
? 開關(guān)不隨溫度變化
? 快速（低開關(guān)損耗）和低溫（低導通損耗）
? 長期可靠性高
? 高功率時易于并聯(lián)（VTH穩(wěn)定性）
應(yīng)用領(lǐng)域
SiC MOSFET的最寬電壓范圍：
750 V – 6.5 kV
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低溫，快速
高效、高成本效益的功率轉(zhuǎn)換取決于對現(xiàn)代電路拓撲和高速（頻率）開關(guān)技術(shù)的全面理解。存在兩個主要的元器件因數(shù)：
? MOSFET的導通電流怎樣（用漏源通態(tài)電阻衡量）？
? 元器件的開關(guān)效率怎樣（用能量損耗或EXX衡量）？
對于每個問題，我們必須理解在嚴酷的高溫和高速開關(guān)條件下，‘硬開關(guān)’和‘軟開關(guān)’技術(shù)等綜合條件下給出的答案。高溫、高速（頻率）品質(zhì)因數(shù)（FoM）的組合，是系統(tǒng)性能和可靠性的關(guān)鍵。
GeneSiC的專利溝槽輔助平面柵極技術(shù)可在高溫高頻開關(guān)條件下提供最低的RDS（ON）（漏源通態(tài)電阻），而且能耗最低，從而使我們產(chǎn)品的性能、可靠性和質(zhì)量達到了業(yè)界前所未有的高度。
強固型
典型電路
750 V SiC MOSFET和二極管應(yīng)用在
無橋PFC（功率因數(shù)校正）和三相電機驅(qū)動
1200 V SiC MOSFET和二極管應(yīng)用在
三相三電平NPC（中點鉗位）逆變器
1700vSic MOSFET應(yīng)用在
四象限全功率轉(zhuǎn)換器
3.3 kV和6.5 kV SiC MOSFET和二極管應(yīng)用在
機車牽引逆變器
二電平逆變器（6.5 kV）
三電平逆變器（3.3 kV）
SiC Schottky MPS? 二極管
混合式PIN肖特基二極管（MPS）將PIN二極管和肖特基二極管的優(yōu)點結(jié)合在了一起。PIN二級管能承受過大的浪涌電流，同時反向漏電流低，而肖特基二極管的正向壓降較小，且具有快速開關(guān)的特性。目標應(yīng)用場合包括PFC，升壓電路和高壓，大功率電機驅(qū)動。
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