新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎設施和工業(yè)驅動應用中實現(xiàn)可靠、高能效的工作 

安森美(onsemi)將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領域的領導者地位。

 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工業(yè)應用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。

兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管（NDSH25170A、NDSH10170A）讓設計人員能夠實現(xiàn)在高溫高壓下穩(wěn)定運行、同時由SiC賦能高能效的設計。 安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經理Simon Keeton說：“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗，加強了我們EliteSiC系列產品在性能和品質方面的高標準，同時也進一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力，安森美提供的技術和供貨保證可以滿足工業(yè)能源基礎設施和工業(yè)驅動提供商的需求。” 可再生能源應用正不斷向更高的電壓發(fā)展，其中太陽能系統(tǒng)正從1100 V向1500 V直流母線發(fā)展。

為了支持這變革，客戶需要具有更高擊穿電壓（BV）值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V，適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開關應用，提供更高的系統(tǒng)可靠性。

 在1200 V、40 A的測試條件下，1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達到領先市場的200 nC，而同類競爭器件的Qg近300 nC。低Qg對于在快速開關、高功率可再生能源應用中實現(xiàn)高能效至關重要。 在1700 V的額定擊穿電壓（BV）下，EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓（VRRM）和二極管的峰值重復反向電壓之間提供了更好的余量。

新器件還具有出色的反向漏電流性能，其最大反向電流（IR）在25°C時僅為40 μA，在175°C時為100 μA --明顯優(yōu)于在25°C時額定值通常為100 μA的競爭器件。 

欲了解關于安森美的EliteSiC方案的更多信息，請訪問onsemi.cn或于美國時間1月5日至8日在美國內華達州拉斯維加斯舉行的消費電子展覽會(CES)蒞臨安森美展臺。

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