氮化鎵是氮和鎵化合物；作為一種全新的半導(dǎo)體材料它具有熱導(dǎo)率高、耐高溫、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期開發(fā)中氮化鎵材料被應(yīng)用于發(fā)光二極管、燈具，新能源等等方面。

　　氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，得益于充電行業(yè)的新興技術(shù)，隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領(lǐng)域備受廠商和用戶的追捧。

　　應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高；氮化鎵充電器的最大優(yōu)點就是支持體積更小的變壓器以及其他電感元件，與此同時，還具有優(yōu)秀的散熱性能。所以，相較于傳統(tǒng)充電器，氮化鎵充電器能夠有效縮小體積、降低發(fā)熱并提高效率。

　　與普通半導(dǎo)體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導(dǎo)熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優(yōu)勢。近來的旗艦手機平板為了實現(xiàn)更快的充電速度，充電器功率都比較大，40W50W充電器非常普遍。

　　氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，相同體積下，采用氮化鎵技術(shù)的充電器比普通充電器輸出效率更高。改用氮化鎵技術(shù)后，充電器的元器件可以更小，充電器體積大幅縮小；同時氮化鎵充電器也能保持高效和低溫的工作狀態(tài)，安全性更好。

　　在工業(yè)用電領(lǐng)域，相比硅基、CoolMOS和碳化硅，氮化鎵器件能實現(xiàn)更優(yōu)的性價比，并滿足高端電源對應(yīng)用環(huán)境和產(chǎn)品規(guī)格的需求；工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來外延生長。

　　推薦一款由工采網(wǎng)代理的四川美闊GaN/氮化鎵 - MGZ31N65具備特性：

　?。?）650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

　　（2）非常低的QRR

　?。?）減少交叉損失

　?。?）符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素要求的包裝

　　貼片封裝采用銅夾片封裝技術(shù)來代替內(nèi)部的封裝引線；可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性；封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

　　除了C端消費電子，氮化鎵在5G領(lǐng)域的應(yīng)用也有很大潛力，5G時代需要很多的微基站和中間設(shè)備，這些設(shè)備也需要更高效的供電能力，而氮化鎵充電器體積小效率高的優(yōu)勢會很明顯。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<