·意法半導(dǎo)體是法國(guó)微電子研發(fā)和第一工業(yè)部署五年戰(zhàn)略計(jì)劃的主要牽頭企業(yè)之一

 ·“電子2030”計(jì)劃將有效促進(jìn)二十個(gè)成員國(guó)參與的“歐洲共同利益重點(diǎn)項(xiàng)目之微電子與通信技術(shù)(IPCEI ME/CT)”

2022 年 7 月 19日，中國(guó)–服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，日前，法國(guó)“電子 2030”計(jì)劃（Electronique 2030）啟動(dòng)儀式在法國(guó)Grenoble附近的意法半導(dǎo)體Crolles研發(fā)制造一體化工廠舉辦。

法國(guó)總統(tǒng)埃馬紐埃爾·馬克龍（Emmanuel Macron）出席了本次啟動(dòng)儀式。其他列席嘉賓有：法國(guó)經(jīng)濟(jì)、財(cái)政、工業(yè)和數(shù)字主權(quán)部長(zhǎng)布魯諾·勒梅爾（Bruno Le Maire）；高等教育和研究部長(zhǎng)茜爾薇·勒達(dá)尤（Sylvie Retailleau）；民主振興部部長(zhǎng)級(jí)代表兼政府發(fā)言人奧利維?！ぞS朗（Olivier Veran）；外貿(mào)、經(jīng)濟(jì)吸引力與法國(guó)海外僑民部部長(zhǎng)級(jí)代表奧利維?！へ愊＃∣livier Becht）；歐盟委員會(huì)內(nèi)部市場(chǎng)專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton），以及來(lái)自法國(guó)中央、地區(qū)和地方的政府代表。出席本次活動(dòng)的還有格芯（GlobalFoundries）、CEA-Leti研究所和Soitec等來(lái)自半導(dǎo)體和電子行業(yè)的意法半導(dǎo)體合作伙伴。                                                                                     

“電子2030”計(jì)劃是2021年10月公布的“法國(guó)2030”投資計(jì)劃中的一部分，旨在保持法國(guó)電子工業(yè)的領(lǐng)先地位，應(yīng)對(duì)從上游研究到下游應(yīng)用、以及整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)前和未來(lái)面臨的挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)于很多工業(yè)乃至整個(gè)經(jīng)濟(jì)而言都具有戰(zhàn)略意義，可以為歐盟綠色新政下的低碳經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型目標(biāo)提供直接支撐，為智能出行和物聯(lián)網(wǎng)提供高能效的技術(shù)、芯片和解決方案。

在歐盟層面，經(jīng)歐盟委員會(huì)協(xié)調(diào)，20個(gè)歐盟成員國(guó)決定，在首個(gè)IPCEI項(xiàng)目暨“歐洲共同利益重點(diǎn)項(xiàng)目之微電子(IPCEI ME)”已取得成功的基礎(chǔ)上，啟動(dòng)新一個(gè)新的項(xiàng)目——“歐洲共同利益重點(diǎn)項(xiàng)目之微電子和通信技術(shù)(IPCEI ME/CT)”。該新IPCEI項(xiàng)目吸引了100多家企業(yè)參與，目標(biāo)是建立完整的半導(dǎo)體價(jià)值鏈，不僅支持研發(fā)創(chuàng)新(RDI)，還支持第一工業(yè)部署(FID)。IPCEI ME/CT項(xiàng)目分為4個(gè)工作小組：SENSE（數(shù)字感知）、THINK（嵌入式處理）、ACT（功率電子）和COMMUNICATE（通信器件）。

法國(guó)總統(tǒng)埃馬紐埃爾·馬克龍宣布，在2022年到2026年間，為意法半導(dǎo)體和另外14家參與IPCEI ME/CT項(xiàng)目的主要法國(guó)企業(yè)提供財(cái)政支持。該財(cái)政支持將直接用于意法半導(dǎo)體在該項(xiàng)目中參與的四個(gè)小組工作，主要在意法半導(dǎo)體的研發(fā)和制造工廠開(kāi)展，特別是法國(guó)的Crolles、Grenoble、Rennes、Rousset和Tours這五家工廠。具體來(lái)說(shuō)，包括高性能低功耗MCU及相關(guān)技術(shù)研發(fā)，新嵌入式相變閃存FD-SOI技術(shù)、采用創(chuàng)新嵌入式閃存CMOS技術(shù)架構(gòu)的邊緣人工智能、采用硅基氮化鎵的創(chuàng)新功率電子技術(shù)、采用先進(jìn)3D集成技術(shù)的智能光學(xué)傳感器、嵌入式人工智能、射頻技術(shù)，以及5G、6G芯片等。

為IPCEI ME/CT項(xiàng)目提供資金仍需等待歐盟委員會(huì)批準(zhǔn)。