上周,英特爾位于愛爾蘭的Fab 34晶圓廠完成了第一臺EUV光刻機(jī)的安裝,而這也是歐洲首個(gè)具備EUV工藝的晶圓廠。
而按照intel的說法,F(xiàn)ab 34工廠將在下半年量產(chǎn)intel 4工藝,也就是7nm,比預(yù)計(jì)的時(shí)間可能會(huì)提前一點(diǎn)點(diǎn)。
為何intel要將7nm,命名為intel 4?很多網(wǎng)友表示,這是因?yàn)閕ntel覺得自己的7nm,可以對標(biāo)臺積電、三星的4nm工藝,所以搞了個(gè)4出來,從命名上扳回一局,掩蓋自己的工藝落后的尷尬局面。
那么intel的7nm究竟有多厲害?能不能與臺積電、三星的4nm相媲美?我們還是按照摩爾定律的基本原則來說一說。
摩爾定律里面關(guān)于芯片的性能,主要是以晶體管密度為基礎(chǔ)的,說是每18個(gè)月,晶體管密度就要翻一倍,所以我們也說晶體管密度這個(gè)指標(biāo),可能比較靠譜一點(diǎn)。
如上圖所示,英特爾的7nm工藝,其晶體管密度是1.8億個(gè)每平方毫米。
而臺積電的5nm工藝,其晶體管密度是1.73億個(gè)每平方毫米,說起來比intel的7nm還差一點(diǎn)。
至于臺積電的3nm工藝,晶體管密度則達(dá)到了2.9億個(gè)每平方毫米,與intel的5nm,也就是intel 3工藝差不多了。
再看看三星,5nm工藝時(shí),晶體管密度是1.27億個(gè)每平方毫米,確實(shí)比不上英特爾的7nm。甚至三星的3nm時(shí),其晶體管密度也只有1.7億個(gè)晶體管每平方毫米,比臺積電的5nm還遜色一點(diǎn),自然也比不過英特爾的7nm了。
由此可見,英特爾拿7nm工藝來取個(gè)intel 4工藝,對標(biāo)臺積電、三星的4nm是真的沒錯(cuò)的。同樣類推,我們還可以得出intel 3工藝,其實(shí)是5nm工藝,對標(biāo)的是臺積電的3nm。
其實(shí)過去的這幾年以來,很多人都說臺積電、三星的XXnm工藝造假,連高通曾經(jīng)都這樣表示過,但對于芯片廠商們而言,更先進(jìn)的工藝,更有噱頭,更有賣點(diǎn),所以大家也都不介意它不是不造假了,甚至是大家一起努力將這個(gè)假的變成真的。
只有英特爾一直在遵循摩爾定律,最后倒讓大家認(rèn)為它工藝落后了,所以將自己的工藝改名,讓大家看不出具體是XXnm來,也算是英特爾耍的一個(gè)“小聰明”。