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Intel 15代酷睿爆發(fā)!上臺積電3nm工藝、目標直指蘋果

2022-02-26
來源:快科技
關鍵詞: Intel15 酷睿 臺積電 3nm

Intel日前一口氣官宣了未來四代酷睿處理器,包括Raptor Lake 13代、Meteor Lake 14代、Arrow Lake 15代、Lunar Lake 16代,據(jù)說后邊是Nova Lake 17代。

Intel同時也披露了一些初步細節(jié),比如說Arrow Lake 15代酷睿,會繼續(xù)使用非單一芯片整合封裝、Intel 4工藝,首次加入Intel 20A工藝(大致等于2nm),首次加入外部代工,來自臺積電3nm(可能對應GPU部分),號稱擁有媲美獨立顯卡級性能的核顯。

其實早在去年8月,就有傳聞稱,Alder Lake-P移動版會采用最多6個Lion Cove架構大核心、8個Skymont架構小核心的組合(桌面版8+32),而最高級別的GT3核顯則有320個單元(2560個核心),目前的12代也不過96個。

最新泄露的一份內部路線圖,詳細展示了Arrow Lake-P的時間進程,并確認了一些關鍵規(guī)格。

按照這份規(guī)劃,Arrow Lake-P會在今年第48周(11月21-25日)完成ES1第一版工程樣品,明年第5周(1月23-27日)完成ES2第二版工程樣品,第27周(6月26-30日)完成QS質量樣品,33周(8月7-11日)完成投產(chǎn)準備,第四季度上市。

這個時間進度有點太緊了,畢竟12代剛剛布局完畢,官方也說了今年下半年推出13代,明年上14代,2024年才會有15代。

不過路線圖上也承認,臺積電3nm工藝存在不確定性,而且是第一次使用,時間規(guī)劃上可能會有幾個星期的延遲變動,而且Arrow Lake-P系列的優(yōu)先級高于桌面版Arrow Lake-S系列,自然會先行上市(現(xiàn)在是先出桌面版)。

回到規(guī)格上,Arrow Lake-P(代號Halo)確實會有Lion Cove(LNC)、Skymont(SKT)大小核架構,分別最多6個、8個。

GT3核顯采用臺積電N3 3nm工藝,集成320個EU單元,面積初步估計80平方毫米左右,但根據(jù)臺積電晶圓工藝可能會更大一些。

有趣的是,路線圖上明確地寫著,Arrow Lake-P要競爭蘋果的14寸高級筆記本。

看起來,Intel被蘋果拋棄之后,始終是耿耿于懷,即便不能奪回訂單,也要在性能上超越之,尤其是蘋果強項的GPU水平。

在新工藝上,Intel、臺積電一路狂奔的時候,三星出事兒了……

相比于臺積電,三星的制造工藝一直差幾個檔次,其代工的NVIDIA RTX 30系列顯卡、高通驍龍8系列處理器,甚至是自家的Exynos 2200手機芯片,無論性能還是能效頗受詬病。

據(jù)DigiTimes報道,三星電子現(xiàn)在陷入了一樁丑聞,部分在職員工、前員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率。

據(jù)悉,三星在批準5nm、4nm工藝的量產(chǎn)計劃后,無論是三星自己,還是第三方芯片代工客戶,都發(fā)現(xiàn)良品率明顯低于預期。

為此,三星已經(jīng)開始對負責代工業(yè)務的三星設備解決方案(Samsung Device Solutions)事業(yè)部進行初步調查,包括相關投資是否使用到位。

不過三星強調,該問題影響并不嚴重,具體結果將在調查完成后公布。

就在日前,還有消息稱,臺積電3nm工藝的良品率也存在問題,不得不多次修改路線圖。

據(jù)稱,蘋果、高通、Intel、AMD等都是臺積電3nm工藝的客戶,其中高通將拋棄三星代工,全面轉向臺積電,Intel則是首次引入臺積電代工服務。

現(xiàn)在高性能的處理器越來越復雜,工藝也先進,但在物聯(lián)網(wǎng)領域,有些芯片需要更低的功耗,IMEC比利時微電子中心今天宣布聯(lián)合多家合作伙伴造出了0.8um的IGZO銦鎵鋅氧化物晶體管技術的8位處理器,功耗可低至0.01W。

與硅基CMOS工藝的芯片相比,薄膜晶體管技術的芯片具有獨特的優(yōu)勢,包括低成本、輕薄、柔性、可彎曲等等,更適合物聯(lián)網(wǎng)領域,比如RFID射頻標簽、健康傳感器等等,還可以作為顯示器的驅動芯片。

這些領域缺少的是一個靈活的處理器,IMEC現(xiàn)在制造的就是全新的8位微處理器,可以執(zhí)行復雜的計算。

具體來說,這款8位處理器性能強,頻率可達71.4KHz(不是MHz,在該領域是高頻了),功耗非常低,其中10KHz頻率下只有11.6mW,最高速度下也只有134.9mW,也就是0.01W到0.13W之間。

制造這款處理器使用的是0.8um IGZOO銦鎵鋅氧化物晶體管技術,集成了1.6萬個晶體管,面積也只有24.9mm2,已經(jīng)是該技術中集成度、良率都很高的水準了




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