據(jù)媒體報(bào)道，韓國晶圓代工廠商DB HiTek采用在硅晶圓片上制備由氮化鎵材料制成的薄膜來生產(chǎn)半導(dǎo)體晶圓。

GaN 是下一代半導(dǎo)體材料，可提高通信設(shè)備、電動汽車快速充電器和太陽能轉(zhuǎn)換器的電源效率。DB HiTek將生產(chǎn)基于硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)的8英寸半導(dǎo)體，該技術(shù)預(yù)計(jì)可以通過提高半導(dǎo)體制造的競爭力來簡化晶片加工以增強(qiáng)盈利能力。

此前生產(chǎn)半導(dǎo)體晶圓通常采用砷化鎵的第二代半導(dǎo)體制備方法，而新的第三代半導(dǎo)體則采用氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料。DB HiTek采用的正是氮化鎵。

第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，因此在短波發(fā)光、激光、探測等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。

第三代半導(dǎo)體具體的應(yīng)用場景不勝枚舉，其中在節(jié)能電力電子領(lǐng)域，有半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)、高速列車等；在信息工程領(lǐng)域，有可見光通訊、海量光存儲、高速計(jì)算等；在國防建設(shè)領(lǐng)域，有紫外探測器、微波器件等；在民用商業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，有無線基礎(chǔ)設(shè)施（基站）、衛(wèi)星通信、有線電視和功率電子等；此外還包括新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。
　　正是憑借著性能的優(yōu)勢和廣闊的應(yīng)用場景，第三代半導(dǎo)體也被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機(jī)”。

鑫芯半導(dǎo)體A輪融資超10億元，聚焦12英寸半導(dǎo)體硅片研發(fā)

據(jù)媒體報(bào)道，1月5日半導(dǎo)體硅片研發(fā)制造企業(yè)鑫芯半導(dǎo)體科技有限公司日前完成超10億元A輪融資。

輪融資由沂景資本、信達(dá)風(fēng)投資、瑞芯資本、石溪資本、上海寶鼎、湖南華菱、寧波中超、航芯創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)共同投資，所融資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)、購置設(shè)備、產(chǎn)能擴(kuò)充。

硅片作為直接材料貫穿芯片生產(chǎn)的每一道制程，全球12英寸大硅片供應(yīng)長期被日韓等外資廠商壟斷，國產(chǎn)化亟待突破。

在國外企業(yè)實(shí)際應(yīng)用第三代半導(dǎo)體技術(shù)時(shí)，國內(nèi)還有亟待突破的短板，硅片就是其中之一。資本投向被卡脖子技術(shù)領(lǐng)域，是好事。

鴻海2021年?duì)I收再創(chuàng)新高

根據(jù)鴻海1月5號公布的財(cái)報(bào)，鴻海2021年全年?duì)I收5．94萬億元新臺幣（約2149億美元），相較2020年增長10．86％，創(chuàng)下鴻海歷史營收新高。

另外，鴻海去年第四季度營收達(dá)1．83萬億元，季增30．60％，年減8．69％，創(chuàng)歷年次高記錄；12月營收達(dá)6607億元，月增6．27％，年減7．44％。

同時(shí)，創(chuàng)下企業(yè)史新高的不止是鴻海，據(jù)Refinitiv的14位分析師預(yù)計(jì)三星電子即將發(fā)布的2021年Q4財(cái)報(bào)也將創(chuàng)下歷史新高。

三星電子營業(yè)利潤有望達(dá)到15．2萬億韓圓（約合808．5億元人民幣）。這將較上年同期的9．05萬億韓圓增長68％，略高于2017年第四季度創(chuàng)紀(jì)錄的15．15萬億韓圓。

三星電子的股價(jià)在過去兩個(gè)月里已經(jīng)上漲了約12％，因?yàn)槭袌鰧θ请娮拥牧己脴I(yè)績表現(xiàn)已經(jīng)有所預(yù)期，并且由于市場對視頻、游戲、會議和其他流媒體服務(wù)的需求持續(xù)強(qiáng)勁，存儲芯片的價(jià)格今年有望繼續(xù)上漲。