展望半導(dǎo)體2022年投資方向，我們認(rèn)為有兩條相對(duì)確定的主線：國(guó)產(chǎn)化和電動(dòng)化。

一、國(guó)產(chǎn)化：逐步深化，分為四個(gè)階段：

1、國(guó)產(chǎn)1．0：2019年5月，限制華為終端的上游芯片供應(yīng)，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了對(duì)國(guó)產(chǎn)模擬芯片、國(guó)產(chǎn)射頻芯片、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片、國(guó)產(chǎn)CMOS芯片的傾斜采購(gòu)，這是第一步。

2、國(guó)產(chǎn)2．0：2020年9月，限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴(yán)重依賴美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備（PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、測(cè)試機(jī)等），海思只能轉(zhuǎn)移到備胎代工鏈，直接帶動(dòng)了中芯國(guó)際等國(guó)產(chǎn)晶圓廠和封測(cè)廠的加速發(fā)展。

3、國(guó)產(chǎn)3．0：2020年12月，中芯國(guó)際進(jìn)入實(shí)體名單，限制的是芯片上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。想要實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全，必須做到對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的逐步突破，由于DUV不受美國(guó)管轄，此階段的關(guān)鍵是針對(duì)刻蝕等美系技術(shù)的替代。

2022年，國(guó)產(chǎn)化路徑將順著四條主線繼續(xù)推進(jìn)到4．0時(shí)代。

國(guó)產(chǎn)4．0：

1）半導(dǎo)體設(shè)備：將在2022年實(shí)現(xiàn)1－10的放量，優(yōu)先關(guān)注成熟工藝國(guó)產(chǎn)化設(shè)備（130／90／65／40／28nm）。

2）芯片材料：將在設(shè)備后，接力進(jìn)行0－1的突破，優(yōu)先推薦黃光區(qū)材料和具備材料上游制備能力的相關(guān)公司。

3）EDA／IP將登陸資本市場(chǎng)，成為底層硬科技的全新品類。

4）設(shè)備零部件：國(guó)產(chǎn)化的縱向推進(jìn)使得產(chǎn)業(yè)地位凸顯，板塊將迎來歷史級(jí)的發(fā)展窗口。

二、電動(dòng)化：電動(dòng)化2．0 ＋ 智能化1．0時(shí)代，電車有兩顆大腦，一個(gè)用來控制能源（電力），另外一個(gè)用來處理信息。

1、電動(dòng)化：電動(dòng)化最大的增量是電控，電控中最大壁壘和成本來自于功率半導(dǎo)體。

1）傳統(tǒng)硅基：IGBT和傳統(tǒng)MOS，將持續(xù)在中低壓和傳統(tǒng)場(chǎng)景占據(jù)主導(dǎo)地位。由于缺芯疊加行業(yè)景氣度加速，新能源相關(guān)的IGBT和MOSFET將迎來機(jī)遇期。

2）碳化硅：SiC將在高壓平臺(tái)和高端應(yīng)用場(chǎng)景發(fā)力。外延、襯底、制造、設(shè)備、IDM領(lǐng)域都將迎來行業(yè)景氣＋國(guó)產(chǎn)替代＋份額提升的三重推動(dòng)。

2、智能化：

1）傳統(tǒng)座艙：本質(zhì)是手機(jī)的衍生，是非實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)在三屏合一趨勢(shì)下的場(chǎng)景擴(kuò)張，傳統(tǒng)SoC廠商將繼續(xù)主導(dǎo)座艙市場(chǎng)。

2）智能駕駛：本質(zhì)上全新的異質(zhì)計(jì)算架構(gòu)，實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將結(jié)合FPGA＋GPU＋ASIC＋CPU異構(gòu)芯片，共同實(shí)現(xiàn)無人駕駛。

結(jié)論：2022年半導(dǎo)體投資方向建議關(guān)注下列標(biāo)的。

主要分為9個(gè)階段：

階段一（2017年Q2之前）：無·行業(yè)β ＋ 無·個(gè)股β ＋ 無·個(gè)股α，半導(dǎo)體作為電子行業(yè)中不被市場(chǎng)關(guān)注的細(xì)分板塊，主要投資活動(dòng)發(fā)生在一級(jí)市場(chǎng)，二級(jí)市場(chǎng)處于莽荒期，無明顯投資脈絡(luò)。

階段二（2017Q2－2017Q4：漲27％）：無·行業(yè)β ＋ 弱·個(gè)股β ＋ 弱·個(gè)股α

1）無·行業(yè)β：板塊效應(yīng)還未形成，半導(dǎo)體處于受市場(chǎng)關(guān)注的前夜。

2）弱·個(gè)股β：17年三季度開始，由3G －＞ 4G帶來的技術(shù)革命直接拉動(dòng)全球半導(dǎo)體含硅量迅猛增長(zhǎng)，整個(gè)板塊呈現(xiàn)出強(qiáng)·行業(yè)α階段，主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲和創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)新品加速擴(kuò)充，從而帶動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)公司業(yè)績(jī)顯著上漲。但是A股上市公司還未深度參與產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，受益于價(jià)格／創(chuàng)新／國(guó)產(chǎn)替代周期紅利較少。

3）弱·個(gè)股α：部分上市公司開始展現(xiàn)出個(gè)股α，典型個(gè)股是兆易創(chuàng)新由于自身α和行業(yè)β疊加，區(qū)間漲幅高達(dá)154％。

階段三（2018Q1－2018Q4：暴跌37％）：無·行業(yè)β ＋ 負(fù)·個(gè)股β ＋ 弱·個(gè)股α

1）無·行業(yè)β：依舊無估值彈性。

2）負(fù)·個(gè)股β：18年一季度開啟的半導(dǎo)體下行周期導(dǎo)致負(fù)循環(huán)開始，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌。同時(shí)4G紅利結(jié)束，5G創(chuàng)新還未開啟，長(zhǎng)達(dá)10年的互聯(lián)網(wǎng)和智能手機(jī)的創(chuàng)新紅利期結(jié)束，直接導(dǎo)致半導(dǎo)體體現(xiàn)出負(fù)的行業(yè)α，相關(guān)個(gè)股大幅下跌。受存儲(chǔ)周期下行影響，兆易創(chuàng)新區(qū)間跌幅達(dá)46％。

3）弱·個(gè)股α：部分公司展現(xiàn)出半導(dǎo)體下行周期的高成長(zhǎng)屬性，典型個(gè)股如北方華創(chuàng)。

階段四（2019Q1－2020Q1：暴漲145％）：強(qiáng)·行業(yè)β ＋ 弱·個(gè)股β ＋ 弱·個(gè)股α，波瀾壯闊的行情開始。

1）強(qiáng)·行業(yè)β：美國(guó)對(duì)華為的第一輪科技封鎖和科創(chuàng)板的推出，極大地提高了市場(chǎng)對(duì)硬科技行業(yè)的關(guān)注。半導(dǎo)體作為一個(gè)主流科技板塊正式登場(chǎng)，體現(xiàn)出強(qiáng)行業(yè)β屬性，整體板塊估值大幅增長(zhǎng)。

2）強(qiáng)·個(gè)股β：5G基站前周期和5G應(yīng)用后周期直接拉動(dòng)含硅量大幅增長(zhǎng)，消費(fèi)電子芯片／射頻芯片／通訊芯片展現(xiàn)出強(qiáng)創(chuàng)新周期屬性。同樣由于華為轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)芯片成品供應(yīng)鏈，半導(dǎo)體設(shè)備／材料／模擬芯片展現(xiàn)出強(qiáng)國(guó)產(chǎn)替代周期屬性。

3）弱·個(gè)股α：雖然出現(xiàn)一大批2－5倍漲幅的韋爾股份／北方華創(chuàng)／聞泰科技／圣邦股份／兆易創(chuàng)新／三安光電／北京君正／匯頂科技／長(zhǎng)電科技，但相關(guān)公司的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)還未在當(dāng)期出現(xiàn)，漲幅主要來自于估值提升。

階段五（2020Q2－2020Q3：漲49％）：強(qiáng)·行業(yè)β ＋ 強(qiáng)·行業(yè)α ＋ 弱·個(gè)股α，中芯國(guó)際及其產(chǎn)業(yè)鏈大行情開始。

1）強(qiáng)·行業(yè)β：美國(guó)對(duì)華為的第二輪科技封鎖，從之前直接封鎖成品芯片銷售，升級(jí)到限制其晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈。疊加中芯國(guó)際登錄科創(chuàng)板，中芯國(guó)際上游設(shè)備、材料、封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈迎來一輪強(qiáng)行業(yè)β。

2）強(qiáng)·個(gè)股β：與之前的由創(chuàng)新周期和華為成品芯片國(guó)產(chǎn)替代拉動(dòng)不同，此輪行情主要來自于中芯國(guó)際及其上游產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)替代拉動(dòng)為主。

3）弱·個(gè)股α：以北方華創(chuàng)／滬硅產(chǎn)業(yè)／中微公司／安集科技／長(zhǎng)電科技等中芯國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈為主。

階段六（2020Q3－2021Q1：跌18％）：負(fù)·行業(yè)β ＋ 弱·個(gè)股β ＋ 弱·個(gè)股α

1）負(fù)·行業(yè)β：以大基金為主的產(chǎn)業(yè)投資者大面積減持，疊加科創(chuàng)板首發(fā)上市解禁后的大規(guī)模減持和中芯國(guó)際被美列入實(shí)體名單，直接導(dǎo)致整個(gè)半導(dǎo)體板塊出現(xiàn)負(fù)的行業(yè)beta，具體就是殺估值。

2）弱·個(gè)股β：5G創(chuàng)新紅利逐步褪去，新能源的創(chuàng)新紅利還在蓄力，價(jià)格周期處于大幅上漲前夜，導(dǎo)致行業(yè)出現(xiàn)分化的個(gè)股beta。

3）弱·個(gè)股α：各大公司的業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)還未開始，此時(shí)期相關(guān)個(gè)股最大跌幅平均在42％。

階段七（2021Q2－2021Q3：漲37％）：弱·行業(yè)β ＋ 強(qiáng)·個(gè)股β ＋ 強(qiáng)·個(gè)股α

1）弱·行業(yè)β：大基金／大股東／管理層減持繼續(xù)，大量公司定增融資，大量半導(dǎo)體公司登錄科創(chuàng)板，整體籌碼的供給增加抑制估值擴(kuò)張。

2）強(qiáng)·個(gè)股β：供需的嚴(yán)重錯(cuò)配導(dǎo)致庫存周期爆發(fā)；AIoT和新能源帶來的創(chuàng)新周期導(dǎo)致對(duì)芯片需求大幅增長(zhǎng)；雙循環(huán)下導(dǎo)致半導(dǎo)體中游和上游的國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)。

3）強(qiáng)·個(gè)股α：具備價(jià)格周期彈性（驅(qū)動(dòng)／MCU／MOS）、創(chuàng)新周期彈性（AIoT／IGBT／PMIC）、國(guó)產(chǎn)替代（半導(dǎo)體設(shè)備／材料）個(gè)股成長(zhǎng)性出現(xiàn)明顯增長(zhǎng)。

以下是對(duì)

未來兩年半導(dǎo)體走勢(shì)的展望：

階段八（2021Q4－2022Q4）：弱·行業(yè)β ＋ ·強(qiáng)個(gè)股β ＋ 強(qiáng)·個(gè)股α

1）弱·行業(yè)β：大基金／大股東／管理層減持繼續(xù)，大量公司定增融資，大量半導(dǎo)體公司登錄科創(chuàng)板，整體籌碼的供給增加抑制估值擴(kuò)張。

2）強(qiáng)·個(gè)股β：供需的嚴(yán)重錯(cuò)配導(dǎo)致庫存周期爆發(fā)；AIoT和新能源帶來的創(chuàng)新周期導(dǎo)致對(duì)芯片需求大幅增長(zhǎng)；雙循環(huán)下導(dǎo)致半導(dǎo)體中游制造和上游設(shè)備／材料的國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)。

3）強(qiáng)·個(gè)股α：半導(dǎo)體設(shè)備／IGBT／模擬芯片／材料具備強(qiáng)α屬性。

階段九（2022Q4－2023Q4）：弱·行業(yè)β ＋ ·弱個(gè)股β ＋ 強(qiáng)·個(gè)股α

1）弱·行業(yè)β：大基金／大股東／管理層減持繼續(xù)，大量公司定增融資，大量半導(dǎo)體公司登錄科創(chuàng)板，整體籌碼的供給增加抑制估值擴(kuò)張。

2）弱·個(gè)股β：供需錯(cuò)配導(dǎo)致價(jià)格周期將出現(xiàn)拐點(diǎn)，部分半導(dǎo)體大宗商品價(jià)格將出現(xiàn)周期下行；AIoT和新能源帶來的創(chuàng)新周期導(dǎo)致對(duì)芯片需求的大幅增長(zhǎng)將繼續(xù)；國(guó)產(chǎn)替代周期持續(xù)爆發(fā)。

3）強(qiáng)·個(gè)股α：半導(dǎo)體設(shè)備／IGBT／模擬芯片／材料具備強(qiáng)α屬性

綜上，我們將半導(dǎo)體的發(fā)展歸類成三個(gè)時(shí)期：

1）行業(yè)莽荒期：2019年之前的階段一、二、三

2）Beta主導(dǎo)期：2019－2020的階段四、五、六

3）Alpha主導(dǎo)期：2021－2023的階段七、八、九

很明顯，未來隨著半導(dǎo)體公司籌碼供給越來越多（股東減持、新股上市、定向增發(fā)），半導(dǎo)體板塊靠β拉動(dòng)的估值提升空間越來越小，未來半導(dǎo)體板塊的主導(dǎo)驅(qū)動(dòng)力就是內(nèi)生增長(zhǎng)的α。

建議從alpha（公司治理、研究開發(fā)實(shí)力、行業(yè)地位）等方面來優(yōu)選符合國(guó)產(chǎn)替代周期和創(chuàng)新周期的個(gè)股。

建議關(guān)注：

1）半導(dǎo)體設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、盛美半導(dǎo)體、萬業(yè)企業(yè)、芯源微、沈陽拓荊（待上市）、屹唐公司（待上市）、華海清科（待上市）、光力科技、華卓精科（待上市）；

2）半導(dǎo)體材料：中環(huán)股份、晶瑞電材、滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微、神工股份、華懋科技（徐州博康）、彤程新材、鼎龍股份、安集科技、江豐電子、江化微、中晶科技；

3）EDA／IP ：華大九天（待上市）、概倫電子（待上市）、芯愿景（IPO終止）、廣立微（待上市）、芯禾科技（未上市）、寒武紀(jì)、芯原股份、思爾芯（待上市）；

4）IGBT：華虹半導(dǎo)體、士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)體、時(shí)代電氣、華潤(rùn)微、新潔能、揚(yáng)杰科技、宏微科技；

5）SiC：三安光電、鳳凰光學(xué)、山東天岳、天科合達(dá)、東莞天域、瀚天天成；

6）GPU／FPGA／ASIC／CIS：韋爾股份、安路科技、格科微、芯原股份、紫光國(guó)微、景嘉微、思特威（待上市）；

7）設(shè)備零部件：北方華創(chuàng)（MFC產(chǎn)品）、神工股份（硅電極）、萬業(yè)企業(yè)、新萊應(yīng)材、和林微納、華卓精科（待上市）、蘇州珂瑪（未上市）、富創(chuàng)精密（待上市）、石英股份；

風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體景氣度不及預(yù)期；半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期；電動(dòng)化和智能化不及預(yù)期

方正科技＆電子團(tuán)隊(duì)  

陳杭

方正證券研究所

所長(zhǎng)助理＆科技首席分析師